Infineon Technologies 1,200V CoolSiC™ M1H 모듈

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1H 모듈은 EV 충전 및 기타 인버터 설계자들에게 전례 없는 효율성과 전력 밀도 수준을 달성할 수 있는 기회를 제공합니다.

SiC(탄화 규소)반도체를 스위치로 사용할 때 높은 신뢰성을 유지하면서 더 높은 작동 온도와 스위칭 주파수를 허용하여 전체 시스템 효율이 개선됩니다. Infineon의 1200V SiC MOSFET 모듈 제품군은 최첨단 트렌치 설계로 구현된 우수한 게이트 산화물 신뢰성을 제공합니다.

이 전력 모듈은 다양한 애플리케이션 요구사항에 맞게 조정 가능한 산업 표준 EASY 패키지로 제공되며, 3레벨, 하프 브리지 또는 6팩과 같은 회로 구성과 광범위한 R_DSon 레벨로 제공됩니다. 모든 EasyPACK™ 및 EasyDUAL™ MOSFET 전력 모듈은 사전 도포된 열 인터페이스 재료(TIM)와 함께 주문할 수 있으며, 추가 기능도 제공됩니다. 고성능 질화 알루미늄(AIN) 세라믹을 적용한 Easy 모듈은 특히 R_thJH의 열 성능을 향상시킵니다.

와이드 밴드 갭 탄화 규소(SiC) 반도체의 장점은 보다 실리콘(Si)에 비해 더 높은 돌파 전기장, 더 우수한 열전도성, 더 높은 전자 포화 속도, 그리고 더 낮은 고유 캐리어 농도에서 비롯됩니다. 이러한 SIC 재료의 이점을 기반으로 하는 SIC MOSFET은 오프/온보드 전기차(EV) 충전기용 태양광 인버터와 같은 고전력 애플리케이션을 위한 스위칭 트랜지스터를 결합합니다.

장점

  •  고주파수 작동
  •  향상된 전력 밀도
  •  최소화된 냉각 작업을 위한 최고의 효율성
  •  시스템 및 운영 비용 절감
  •  확장된 작동 조건 및 향상된 전원 사이클링 기능

특징

Si에 비해 약 80% 낮은 스위칭 손실
우수한 게이트 산화물 신뢰성
역회복 전하가 낮은 진성 바디 다이오드

높은 임계 전압: V_th > 4V
향상된 열 발산 기능

애플리케이션

고속 EV 충전
태양광 에너지 시스템
파워 인버터

에너지 저장 시스템
산업용 애플리케이션
UPS

인포그래픽 - Infineon Technologies 1,200V CoolSiC™ M1H 모듈

제공 가능 제품

FF4MR12W2M1H_B11
- VDSS = 1200V, Rds On = 4mΩ
- IDN =200A/IDRM =400A
- 낮은 스위칭 손실
- 낮은 유도성 설계
- 높은 전류 밀도
- 통합 장착 클램프 덕분에 견고한 장착 가능
- PressFIT 접점 기술
- 통합 NTC 온도 센서
FF4MR12W2M1H_B70
- 듀얼 구성
- 쉬운 2B 하우징
- VDSS = 1200V, Rds On = 4mΩ
- IDN =200A/IDRM =400A
- 낮은 유도성 설계
- 낮은 스위칭 손실
- 높은 전류 밀도
- 향상된 세라믹 기판
- 통합 NTC 온도 센서
- PressFIT 접점 기술
- 통합 장착 클램프 덕분에 견고한 장착 가능

FF6MR12W2M1H_B11
- VDSS = 1200V
- IDN =150A/IDRM =300A
- 낮은 스위칭 손실
- 낮은 유도성 설계
- 높은 전류 밀도
- 통합 장착 클램프 덕분에 견고한 장착 가능
- PressFIT 접점 기술
- 통합 NTC 온도 센서
FF6MR12W2M1H_B70
- 듀얼 구성
- 쉬운 2B 하우징
- VDSS = 1200V, Rds On = 5.63mΩ
- IDN =200A/IDRM =400A
- 낮은 유도성 설계
- 낮은 스위칭 손실
- 높은 전류 밀도
- 향상된 세라믹 기판
- 통합 NTC 온도 센서
- PressFIT 접점 기술
- 통합 장착 클램프 덕분에 견고한 장착 가능