Infineon Technologies EVAL-M1-2ED2106S 게이트 드라이버 평가 보드
Infineon Technologies EVAL-M1-2ED2106S 게이트 드라이버 평가보드는 2ED2106S06F 650 V 하이 및 로우 측 게이트 드라이버용 데모 및 개발 플랫폼입니다. SOI (Silicon-on-Isolator) 기술을 기반으로 하는 Infineon Technologies 2ED2106S06F는 초고속, 저저항 부트스트랩 다이오드와 100 V의 네거티브 VS과도 내성을 갖추고 있습니다.
EVAL-M1-2ED2106S 평가 보드는 게이트 드라이버 IC, IGBT, 전원 커넥터 및 신호 인터페이스를 포함한 완벽한 전력 드라이브 회로를 갖추고 있습니다. 이 보드는 EVAL-M1-101T 평가 제어 보드와 같은 외부 컨트롤러 보드에 연결하여 BLDC(브러시리스 직류) 모터를 구동하도록 설계되었습니다.
특징
- 홈 기기 애플리케이션에 적합한 단일 션트 구성의 3상 인버터
- 단상 230 VAC 입력의 정류된 DC 전압에서 직접 수신 가능한 DC 전압 입력
- 네거티브 VS 허용 오차가 큰 650 V SOI 게이트 드라이버 2ED2106S06F
- Infineon TRENCHSTOP™ IGBT6 기술을 활용하는 10A/650V 정격 IGBT
- 보조 전원 공급 장치가 보드에 포함되어 있음
- 하단 면에 설치된 히트 싱크로 자연 냉각
사양
- 입력 전압: 310~380V
- 입력 전류: 0.97A
- 위상 전류 출력: 1.6A
- 스위칭 주파수: 15kHz
- 전류 피드백: 100mΩ
- 주변 작동 온도: 0~50°C
- 최대 상대 습도: 95%
- 크기: 126.0mm x 84.0mm x 1.6mm
- 소재 FR-4, RoHS 규격 준수
애플리케이션
- 모터 제어 및 드라이브
- 경전기 차량(LEV)
- 멀티콥터 및 드론
- 전동 공구
- 서비스 로봇
- 가전 제품
- LED 조명
- EV 충전
- 배터리 배열
- 스위치드 모드 전원 공급 장치(SMPS)
- UPS(무정전 전원 공급 장치)
온 더 보드
Infineon Technologies 2ED210x 저전류 650V 하프 브리지 게이트 드라이버
부트스트랩 다이오드를 제공하며 DSO-8 또는 DSO-14 패키지로 제공됩니다.
보드 레이아웃
블록 선도
설정 예시
게시일: 2020-02-14
| 갱신일: 2024-09-30