Infineon Technologies 200V 레벨 시프트 게이트 드라이버
Infineon 200 V 레벨 시프트 게이트 드라이버는 저전압(24 V, 36 V 및 48 V) 및 중전압(60 V, 80 V, 100 V 및 120 V) 모터 제어 애플리케이션을 위한 3상, 하프 브리지 또는 하이 및 로우 측 드라이버를 포함합니다. 3상 제품은 Infineon의 고유한 SOI (Silicon-on-Insula ) 레벨 시프트 기술을 활용합니다. 이 기능은 기능 절연, 업계 최고의 네거티브 VS 견고성 및 레벨 시프트 손실 감소를 제공합니다. 통합형 BSD (부트스트랩 다이오드) 가 있는 솔루션을 사용하여 BOM 비용을 줄이고 레이아웃을 간소화하며 PCB 크기를 줄일 수도 있습니다.
특징
- IRS2005, IRS2007 및 IRS2008용 추가 VBS UVLO로 VCC UVLO (부족 전압 록 아웃) 보호
- 데드 타임 및 교차 전도 방지 로직
- +200V의 오프셋 전압으로 완벽하게 작동
- 네거티브 과도 전압에 대한 내성, dV/dt 내성
- 낮은 대기 전류
- 다양한 입력 옵션
- 표준 핀 아웃 및 패키지
- Infineon SOI(Silicon-On-Insulator) 기술이 적용된 3상 솔루션(BSD(통합 부트스트랩 다이오드) 포함)
- 빠르고 안정적인 스위칭
- 비정상 작동 시 보호
- 안정적인 시동 작동 보장
- 장치 신뢰성, 작동 헤드룸 향상
- 사용하기 쉽고 간단한 설계
- 출시 시간 단축
- 간단한 설계로 BOM 비용 절감, 더 저렴한 비용으로 더 작은 PCB 제공
- 증가된 네거티브 VS 견고성으로 향상된 신뢰도
200 V 게이트 드라이버 애플리케이션
애플리케이션
- 배터리 작동식 전동 도구
- 배터리 작동식 정원 도구
- 마이크로인버터 드라이브
- 소형 전기 차랑(LEV) – 전동 바이크, 전자 스쿠터, 전자 장난감
- 드론, 로봇 진공 청소기
- 무선 충전
일반 연결 선도
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비디오
게시일: 2020-02-13
| 갱신일: 2024-10-02