Infineon Technologies EiceDRIVER
Infineon Technologies 1ED44176N01F EiceDRIVER는 0.8A 소스 및 1.75A 싱크 전류를 제공하는 MOSFET 및 IGBT(절연 게이트 바이폴라 트랜지스터)용 25V 단일 채널, 로우 측, 비반전 게이트 드라이버이며 소형 8리드 PG-DSO8 패키지로 제공됩니다.
비교기 및 다중 레지스터 및 커패시터를 사용하여 전류를 측정하면 1ED44176N01F의 과전류를 보호할 수 있습니다. 1ED44176N01F EiceDRIVER는 비교기를 통합하여 비용과 공간을 절약합니다. 이 로우 측 게이트 드라이버는 Infineon Latch Latch Immune 기술을 사용하여 견고한 모놀리식 구조를 구현하는 동시에 ±5%의 OCP(과전류 보호) 임계값 허용 오차로 높은 오류 보고 정확도를 실현합니다. 또한 1ED44176N01F는 오류 출력 및 인에이블 기능을 단일 핀으로 결합하여 공간 및 시스템 요구 사항을 더욱 줄여 줍니다.
특징
- 통합된 과전류 보호 및 단일 핀 오류 출력 및 인에이블 기능으로 잠재적인 공간 및 비용 절감 효과 제공
- ±5%의 OCP 임계 오차로 정확한 감지 기능 제공
- 유연한 오류 제거 시간 설정
- 낮은 공급 전압에서 보호 기능을 제공하는 부족 전압 로크아웃
- 정확한 ±5% 허용 오차를 갖는 0.5V 과전류 임계값
- 포지티브 전압 입력으로 과전류 감지
- 결함 출력 및 인에이블을 위한 단일 핀
- 프로그래밍 가능한 결함 제거 시간
- 부족 전압 로크아웃
- CMOS 슈미트 트리거 입력
- 3.3V, 5V 및 15V 입력 로직 호환
- 입력과 함께 단계별로 출력
- 별도의 로직 및 전원 접지
- 2kV ESD HBM
- 업계 표준 8리드 PG-DSO8 패키지
- RoHS 규격 준수
사양
- 채널: 1.0
- 구성: 로우 측
- 입력 Vcc: 12.7~20.0V
- 절연 유형: 비절연
- 출력 전류(싱크): 1.23~1.75A
- 출력 전류(소스): 0.56~1.23A
- 전파 지연 끄기: 50.0~95.0ns
- 전파 지연 켜기: 50.0~95.0ns
- UVLO 입력(Off): 10.7~12.2V, 11.4V(표준)
- UVLO 출력(Off): 10.7~12.2V, 11.4V(표준)
- 전압 클래스: 25.0V
- 작동 온도: -40~+125°C
애플리케이션
- 디지털 제어 PFC
- 에어컨 및 HVAC
- 가전 제품
- 산업용 애플리케이션
- 단일 종단 토폴로지용 범용 로우 측 게이트 드라이버
Associated Products
Infineon Technologies 1ED44175N01B 25 V 로우 측 게이트 드라이버
통합 과전류 보호 (OCP), 오류 보고 및 활성화 기능을 제공합니다.
Infineon Technologies EiceDRIVER 절연 및 비절연 게이트 드라이버 IC
MOSFET, IGBT 및 IGBT 모듈을 위한 최적화된 저전압 및 고전압 게이트 드라이버 솔루션을 제공합니다.
개발 도구
Infineon Technologies EVAL-1ED44176N01F 평가 보드
통합 과전류 보호(OCP) 기능이 있는 1ED44176N01F EiceDRIVER™에 사용됩니다.
블록 선도
패키지 외형
게시일: 2018-11-02
| 갱신일: 2022-09-02