Cypress 동기식 SRAM

Cypress 동기식 SRAM은 네트워킹과 기타 고성능 애플리케이션에 필요한 진정한 랜덤 메모리 액세스 성능을 제공합니다. Cypress 동기식 SRAM 포트폴리오는 네트워킹 및 고성능 컴퓨팅 문제를 해결하기 위해 설계된 다양한 기능을 제공합니다. 이 포트폴리오는 다양한 속도, 단어 폭, 밀도 및 패키지의 표준 동기식 SRAM, No Bus Latency SRAM 및 QDR® SRAM을 포함합니다.

Cypress 동기식 SRAM 장치는 고속 네트워크 스위치 & 라우터, 커뮤니케이션 인프라, 테스트 장비, 이미징 & 비디오 및 고성능 컴퓨팅을 포함하는 광범위한 애플리케이션에 이상적입니다.

	표준 동기식	NoBL™ No Bus Latency	QDR® - II / DDR-II	QDR - II+ / DDR-II+	QDR - II+X / DDR-II+X	QDR - IV
	최대 RTR1¹: 250MT/s 최대 BW:18Gbps 레이턴시: 1 사이클 파이프라인 및 플로우스루 모드	최대 RTR¹: 250MT/s 최대 BW: 18Gbps 레이턴시: 1 사이클 파이프라인 및 플로우스루 모드	최대 RTR¹: 666MT/s 최대 BW: 47.9Gbps 레이턴시: 1.5 사이클 CIO² 및 SIO³	최대 RTR¹: 666MT/s 최대 BW: 79.2Gbps 레이턴시: 2 또는 2.5 사이클 CIO² 및 SIO³, ODT⁴	최대 RTR¹: 900MT/s 최대 BW: 91.1Gbps 레이턴시: 2.5 사이클 SIO³, ODT⁴	최대 RTR¹: 2.1 GT/s 최대 BW: 153.5Gbps 레이턴시: 5 또는 8 사이클 듀얼 포트 양방향 ODT⁴
밀도			CY7C161/2xKV18 144 Mb; 250-333 MHz 1.8 V; x9, x18, x36 Burst 2, 4	CY7Cx4/5/6/7xKV18 144 Mb; 300-550 MHz 1.8 V; x18, x36 Burst 2, 4		CY7C41xKV13 144 Mb; 667-1066 MHz 1.25 V; x18, x36 Burst 2
	CY7C148xB 72 Mb; 133-250 MHz 2.5, 3.3 V; x18, x36	CY7C147x 72 Mb; 133-250 MHz 2.5, 3.3V; x18, x36	CY7C151/2xKV18 72 Mb; 250-333 MHz 1.8 V; x9, x18, x36 Burst 2, 4	CY7Cx54/5/6/7xKV18 72 Mb; 250-550 MHz 1.8 V; x18, x36 RH⁶; Burst 2, 4	CY7C156/7xXV18 72 Mb; 366-633 MHz 1.8 V; x18, x36 Burst 2, 4	CY7C40xKV13 72 Mb; 667-1066 MHz 1.25 V; x18, x36 Burst 2
	CY7C144xA 36 Mb; 133-250 MHz 2.5, 3.3 V; x36, x72	CY7C146x 36 Mb; 133-250 MHz 2.5, 3.3V; x18, x36	CY7C141/2xKV18 36 Mb; 250-333 MHz 1.8 V; x8, x9, x18, x36 Burst 2, 4	CY7Cx24/5/6/7xKV18 36 Mb; 400-550 MHz 1.8 V; x18, x36 Burst 2, 4	CY7C126/7x 36 Mb; 366-633 MHz 1.8 V; x18, x36 Burst 2, 4
	CY7C138xD 18 Mb; 100-250 MHz 3.3 V; x18, x32, x36	CY7C137xD 18 Mb; 100-250 MHz 2.5, 3.3V x18, x32, x36	CY7C131/2/9xKV18 18 Mb; 250-333 MHz 1.8 V; x8, x18, x36 Burst 2, 4	CY7Cx14/5/6/7xKV18 18 Mb; 400-550 MHz 1.8 V; x18, x36 Burst 2, 4
	CY7C136xC 9 Mb; 100-250 MHz 3.3 V; x18, x32, x36 Auto E⁵	CY7C135xC 9 Mb; 100-250 MHz 2.5, 3.3 V; x18, x36	CY7C1911xKV18 18 Mb; 250-333 MHz 1.8 V; x9 Burst 2, 4
	CY7C134/2xG 2, 4 Mb; 100-250 MHz 3.3 V; x18, x32, x36	CY7C135xG 4 Mb; 100-200 MHz 3.3 V; x18, x36
	표준 동기식 상세 정보	NoBL 동기식 SRAM 상세 정보	QDR-II DDR-II 동기식 SRAM 상세 정보	QDR-II+ DDR-II+ 동기식 SRAM 상세 정보	QDR-II+Xtreme DDR-II+ Xtreme 동기식 SRAM 상세 정보
	랜덤 트랜잭션 속도

1 트랜잭션에서 나타나는 메모리에 대한 초당 랜덤 액세스 속도(MT/s)

2 공통 I/O

3 개별 I/O

4 온다이(On-die) 터미네이션; 부품은 CY7C2x

5 AEC-Q100 −40ºC ~ +125ºC

6 방사능 경화, 군사 등급 −55ºC ~ +125ºC

Cypress Semiconductor

게시일: 2014-03-20 | 갱신일: 2024-06-27

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