FL-L 제품군은 주소를 전송하고 클록 가장자리에서 데이터를 판독하는 QIO 및 QPI를 위한 더블 데이터 전송 속도(DDR) 판독 명령을 사용합니다. 이 아키텍처는 한 번에 최대 256바이트까지 프로그래밍할 수 있는 페이지 프로그래밍 버퍼 기능이 있습니다. 이 아키텍처는 4KB 섹터, 32KB 하프 블록, 64KB 블록 또는 전체 칩 삭제 기능도 제공합니다. FL-L NOR 플래시는 다양한 모바일 또는 임베디드 애플리케이션에 필요한 고밀도, 유연성 및 빠른 성능을 제공합니다.
이 플래시 메모리는 공간, 신호 연결 및 전력이 제한적인 시스템을 위한 우수한 스토리지 솔루션 구현에 기여합니다. 또한, RAM에 대한 코드 섀도잉, 직접적인 코드 실행(XIP), 다시 프로그래밍 가능한 데이터 저장에 이상적입니다.
특징
- 직렬 주변 기기 인터페이스(SPI) (Multi-I/O 포함)
- 클록 극성 및 위상 모드 0 및 3
- 더블 데이터 속도(DDR) 옵션
- 쿼드 주변기기 인터페이스(QPI) 옵션
- 확장된 어드레싱: 24비트 또는 32비트 어드레스 옵션
- S25FL-A, S25FL1-K, S25FL-P, S25FL-S 및 S25FS-S SPI 제품군과 호환되는 직렬 명령 하위 세트 및 풋프린트
- S25FL-P, S25FL-S 및 S25FS-S SPI 제품군과 호환되는 Multi I/O 명령 하위 세트 및 풋프린트
- 읽기
- 명령: Normal, Fast, Dual I/O, Quad I/O, DualO, QuadO, DDR Quad I/O
- 모드: 버스트 랩, 연속(XIP), QPI
- 구성 정보를 위한 직렬 플래시 검색 가능 매개변수(SFDP)
- 프로그램 아키텍처
- 256바이트 페이지 프로그래밍 버퍼 3.0V FL-L 플래시 메모리
- 프로그램 일시 중단 및 재개
- 삭제 구성
- 균일한 4KB 섹터 삭제
- 균일한 32KB 하프 블록 삭제
- 균일한 64KB 블록 삭제
- 칩 삭제
- 삭제 일시 중단 및 재개
- 100,000회 프로그램 삭제 사이클
- 20년 데이터 보관(기본)
- 기술
- 65nm 플로팅 게이트 기술
- 보안 기능
- 상태 및 구성 레지스터 보호
- 메인 플래시 어레이 외부에 각각 256바이트의 보안 영역 4개
- 레거시 블록 보호: 블록 범위
- 개별 및 영역 보호
- 개별 블록 잠금: 휘발성 개별 섹터/블록
- 포인터 영역: 비휘발성 섹터/블록 범위
- 보안 영역 2 및 3과 포인터 영역의 전원 공급 잠금, 비밀번호 또는 영구 보호
- CMOS I/O를 통한 단일 공급 전압
- 2.7V~3.6V
- 온도 범위
- 산업용(–40°C~+85°C)
- 산업용 강화 버전(–40°C~+105°C)
- 확장(–40°C~+125°C)
- 자동차, AEC-Q100 등급 3(–40°C~+85°C)
- 자동차, AEC-Q100 등급 2(–40°C~+105°C)
- 자동차, AEC-Q100 등급 1(–40°C~+125°C)
- 패키지(모두 무연)
- 8핀 SOIC 208 mil(SOC008) — S25FL128L만 해당
- WSON 5 x 6mm(WND008) — S25FL128L만 해당
- WSON 6 x 8mm(WNG008) — S25FL256L만 해당
- 16핀 SOIC 300 mil(SO3016) — S25FL256L만 해당
- BGA-24 6 x 8mm
- 5 x 5 볼(FAB024) 설치 공간
- 4 x 6 볼(FAC024) 설치 공간
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게시일: 2017-01-26
| 갱신일: 2024-04-11

