Infineon Technologies HyperFlash NOR 플래시 메모리
Cypress HyperFlash NOR 플래시 메모리는 최대 333MB/s의 읽기 처리량을 지원하는 Cypress HyperBus 인터페이스를 기반으로 합니다. HyperFlash는 쿼드 SPI 및 듀얼-쿼드 SPI 부품과 공통의 설치 공간을 공유하는 소형 8x6mm 볼 그리드 어레이(BGA) 패키지를 사용하므로, 보드 레이아웃을 간소화할 수 있습니다. 이 장치의 이상적인 용도는 고성능 애플리케이션으로, 예를 들면 차량 계장 클러스터, 통신 시스템, 산업용 자동화, 의료 장비가 이에 해당하고, 이런 어플리케이션은 매우 높은 읽기 대역폭이 있어야 인스턴트-온 요건을 위한 빠른 부팅 시간이 가능하며, 또한 핀 개수가 적은 인터페이스를 사용해야만 패키지 크기와 PCB 단가를 줄일 수 있습니다.
특징
- 3.0V I/O, 11 bus signals
- Single-ended clock
- 8V I/O, 12 bus signals
- Differential clock (CK, CK#)
- Chip Select (CS#)
- 8-bit data bus (DQ[7:0])
- Read-Write Data Strobe (RWDS)
- HYPERFLASH memories use RWDS only as a Read Data Strobe
- Up to 333MBps sustained read throughput
- Double-Data Rate (DDR) – two data transfers per clock
- 166MHz clock rate (333MBps) at 1.8V VCC
- 100MHz clock rate (200MBps) at 3.0V VCC
- 96ns initial random read access time
- Initial random access read latency: five to 16 clock cycles
- Sequential burst transactions
- Configurable Burst Characteristics
- Wrapped burst lengths:
- 16 bytes (8 clocks)
- 32 bytes (16 clocks)
- 64 bytes (32 clocks)
- Linear burst
- Hybrid option: one wrapped burst followed by a linear burst
- Wrapped or linear burst type selected in each transaction
- Configurable output drive strength
- Wrapped burst lengths:
- Low Power Modes
- Active Clock Stop During Read: 12mA, no wake-up required
- Standby: 25µA (typical), no wake-up required
- Deep Power-Down: 8µA (typical), 300µs wake-up required
- INT# output to generate an external interrupt
- Busy to ready transition
- ECC detection
- RSTO# output to generate a system-level power-on reset, user-configurable RSTO# Low period
- 512-byte Program Buffer
- Sector Erase
- Uniform 256KB sectors
- Optional eight 4KB parameter sectors (32KB total)
- Advanced sector protection, volatile and non-volatile protection methods for each sector
- Separate 1024byte one-time program array
- Operating temperature options
- Industrial (-40°C to +85°C)
- Industrial Plus (-40°C to +105°C)
- Extended (-40°C to +125°C)
- Automotive, AEC-Q100 Grade 3 (-40°C to +85°C)
- Automotive, AEC-Q100 Grade 2 (-40°C to +105°C)
- Automotive, AEC-Q100 Grade 1 (-40°C to +125°C)
- ISO/TS16949 and AEC Q100 Certified
- 100,000 program/erase cycles
- 20-year data retention
- Erase and program current
- Max peak £ 100mA
- 24-ball FBGA packaging options
- Additional features
- ECC 1-bit correction, 2-bit detection
- CRC
애플리케이션
- Advanced driver-assistance systems (ADAS)
- Automotive instrument clusters
- Infotainment systems
- Networking devices
- Industrial automation
- Communication systems
- Medical applications
Logic Block Diagram
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게시일: 2016-06-23
| 갱신일: 2024-09-17