Infineon Technologies Excelon™ F-RAM(Ferroelectric-RAM)

Cypress Semiconductor Excelon™ F-RAM(Ferroelectric-RAM)은 저전력 미션 크리티컬 비휘발성 메모리를 제공하는 차세대 F-RAM입니다. Excelon 시리즈는 초저전력 작동을 고속 인터페이스, 인스턴트 비휘발성, 무제한 읽기/쓰기 사이클 내구성과 결합한 제품입니다. 그 덕분에 Excelon은 휴대용 의료 기기, 웨어러블 기기, IoT 센서, 산업 및 자동차용 애플리케이션에 이상적인 데이터 로깅 메모리가 됩니다. Excelon-LP, Excelon-Ultra, Excelon-Auto의 세 가지 다른 Excelon 제품군이 있습니다.

특징

Excelon F-RAM의 특징
- 현재 F-RAM에 비해 표준 대기 전류(1μA) 및 최대 절전 모드 전류(0.1μA)를 최대 150배까지 절감
- 경쟁 관계에 있는 SPI F-RAM에 비해 108MHz QSPI를 추가할 경우 성능이 10배 이상 향상됨
- 소킹 시간 요구 사항이 없고 전원 백업을 위한 추가 구성 요소 없이 즉시 데이터를 캡처하기 위한 NoDelay™ 쓰기 기능을 제공함
- 2Mb, 4Mb, 8Mb 밀도 옵션
- 작동 전압 범위: 1.71~1.89V 및 1.80~3.60V
- 상업용(0~+70°C), 산업용(-40~+85°C), Auto-A(-40~+85°C) 및 Auto-E(-40~+125°C) 온도 등급.
산업 자동화 시스템용 Excelon-Ultra™
- 최대 절전 모드, 딥 파워 다운, 대기를 포함한 여러 가지 절전 모드 제공
- EEPROM보다 200배 적은 에너지와 NOR 플래시 제품보다 3,000배 적은 에너지 소비
- 3,000년 이상 동안 1ms마다 데이터를 로그에 기록할 수 있는 수치인 1,000조 회의 쓰기 사이클에 해당하는 읽기/쓰기 내구성 제공
- 최고 밀도의 직렬 F-RAM인 8Mb 밀도의 F-RAM을 도입하여 이러한 애플리케이션에서 증가하는 데이터 로깅 요구 사항 충족
- 최대 10mm²의 작은 설치 공간에 8핀 GQFN 패키지로 제공
- 애플리케이션 예: PLC의 데이터 로깅 요구 수준이 매우 높은 경우에 이상적인 메모리
자동 운전자 보조 시스템용 Excelon-Auto™
- 소킹 시간 요구 사항이 없고 추가적인 백업 구성 요소 없이 즉시 데이터 캡처
- 20년 동안 1μs마다 데이터를 로그에 기록할 수 있는 수치인 1,000조 쓰기 사이클의 내구성 지원
- AEC-Q100 인증 및 기능 안전 규격 준수 메모리 구성 요소 제공
- 애플리케이션 예: ADAS 비전 시스템에서 즉시 신뢰할 수 있는 데이터 캡처 가능
휴대용 의료, 웨어러블 및 IoT 장치 애플리케이션용 Excelon-LP™(곧 출시 예정)
- 최대 절전 모드, 딥 파워 다운, 대기를 포함한 여러 가지 절전 모드 제공
- EEPROM보다 200배 적은 에너지와 NOR 플래시 제품보다 3,000배 적은 에너지 소비
- 3,000년 이상 동안 1ms마다 데이터를 로그에 기록할 수 있는 수치인 1,000조 회의 쓰기 사이클에 해당하는 읽기/쓰기 내구성 제공
- 최고 밀도의 직렬 F-RAM인 8Mb 밀도의 F-RAM을 도입하여 이러한 애플리케이션에서 증가하는 데이터 로깅 요구 사항 충족
- 최대 10mm²의 작은 설치 공간에 8핀 GQFN 패키지로 제공
- 애플리케이션 예: 휴대용 의료 애플리케이션을 위해 연장된 배터리 수명, 높은 신뢰성 및 소형 폼 팩터 제공