Diodes Incorporated API2155X-EVB1 평가 보드
Diodes Inc. API2155X-EVB1 평가 보드는 SO-14W/SO-16W 패키지의 듀얼 채널 게이트 드라이버 제품군을 평가하도록 설계되었습니다. 이 제품군은 5700Vrms 절연 및 4A 소스 및 6A의 싱크 피크 전류를 특징으로 하며, Si MOSFET, IGBT, SiC 및 GaN 트랜지스터와 같은 와이드 밴드갭(WBG) 소자를 구동하도록 특수 설계되었습니다.
Diodes Inc.의 API2155X-EVB1 평가 보드에는 VCCI, VDDA, VDDB에 전용인 3개의 독립적인 나사 단자대가 설치되어 있습니다. PWM 입력(INA, INB), 데드 타임(DT) 프로그래밍, 활성화/비활성화(EN/DIS) 기능 등 모든 중요 입력 신호에 대해 점퍼를 포함하는 3 위치 헤더가 있습니다. 이러한 구성 덕분에 설계자는 다양한 보호 기능을 손쉽게 평가할 수 있습니다. 또한 광범위한 테스트 포인트가 제공되어, API2155X의 대부분의 주요 기능들을 프로빙할 수 있도록 지원합니다.
특징
- 절연형 2채널 드라이버
- 2.8~5.5 V 입력 측 공급 전압
- 최대 4 A 피크 소스 및 6 A 피크 싱크 출력
- 125V/ns 이상의 CMTI(공통 모드 과도 내성)
- 최대 30 V의 VDD 출력 드라이브 공급 전압
- 5 V, 8 V, 12 V VDD UVLO 옵션
- 스위칭 매개변수
- 표준 전파 지연: 33ns
- 최대 지연 정합: 5ns
- 최대 펄스 폭 왜곡: 6 ns
- 최대 VDD 파워 업 지연: 10μs
- 절연 장벽 수명: 40년 이상
- 저항기 프로그래밍 가능 불감 시간
- 안전 관련 인증
- DIN V VDE V 0884-11:2017-01에 따른 8000VPK(SO-14/16W)/4242VPK(SO-16) 절연
- UL 1577에 따른 5700VRMS(SO-14W/16W)/3000VRMS(SO-16) 1분간 절연
- GB4943.1-2011에 따른 CQC 인증
- SO-16, SO-16W 및 SO-14W(3.3 mm Ch-Ch 간격) 패키지로 제공됨
- -40 °C ~ +125 °C 작동 온도 범위
- 무연 및 RoHS 규격 준수
- 무할로겐 및 무안티몬 친환경 장치
- AEC-Q100 인증, PPAP 가능, IATF 16949 인증 시설에서 제조
애플리케이션
- HEV 및 EV 온보드 충전기
- 자동차용 모터 드라이브
- HEV 및 EV의 인버터 제어
- 자동차용 절연 DC-DC 컨버터
필수 장비
- 전압/전류가 25V/1A 이상인 DC 전원 공급 장치 3개 (예: GW Instek PSM3004)
- 25 MHz 이상의 2채널 신호 발전기 1개(예: RIGOL DG5352)
- 4 1/2자릿수 이상의 디지털 멀티미터 2개(예: Agilent 34 401 A)
- 대역폭이 500MHz 이상인 오실로스코프 1개 (예: LECROY 66MXs-B)
테스트 설정
관련 게이트 드라이버
Diodes Incorporated API21550Q 절연 하프 브리지 게이트 드라이버
이 장치는 GaN, MOSFET 및 IGBT/SIC 장치를 구동하기 위한 5 V, 8 V 및 12 V VDD UVLO 옵션을 제공합니다.
게시일: 2026-04-22
| 갱신일: 2026-05-13