Diodes Incorporated DMN3012LEG MOSFET

Diodes Incorporated  DMN3012LEG MOSFET은 낮은 온 저항과 빠른 전환 속도를 제공하는 30V 동기식 N-채널 강화 모드  MOSFET입니다. 이 RoHS 규격 준수 MOSFET은 낮은 입력 정전용량과 향상된 신뢰성을 제공하며    100% UIS (Unclamped Inductive Switch)   견고성 테스트를 거친 제품입니다. DMN3012LEG MOSFET은 전력 손실을 줄이고 높은 전력 밀도, 고효율 및 고주파 성능에 맞게 최적화된 LDMOS(측면 확산 MOS) 설계가 특징입니다. 이 MOSFET은 DC-DC 컨버터 및 고효율 전원 관리 애플리케이션에 이상적입니다.

특징

  • 제조 시 100% UIS(클램프 되지 않은 유도성 스위치) 테스트
  • 낮은 온 상태 저항
  • 낮은 입력 정전용량
  • 빠른 스위칭 속도
  • 무연 마감 처리
  • 피크 전력 효율: 95%
  • 경부하에서 향상된 성능
  • 시스템 온도 감소
  • 신뢰성 개선
  • RoHS 규격 준수

사양

  • 드레인 소스 저항: 12mΩ
  • 작동 온도 범위: -55~150°C
  • 전력 손실: 2.2W

애플리케이션

  • DC-DC 변환기
  • 전력 관리 기능
  • 5V 게이트 드라이브 애플리케이션에 맞게 최적화

회로도

애플리케이션 회로도 - Diodes Incorporated DMN3012LEG MOSFET

성능 벤치마크 다이어그램

성능 그래프 - Diodes Incorporated DMN3012LEG MOSFET
게시일: 2020-06-08 | 갱신일: 2024-08-01