Diodes Incorporated 2N7002 N-채널 E-모드 전계 효과 트랜지스터
Diodes Incorporated 2N7002 N-채널 향상 모드 전계 효과 트랜지스터(FET)는 저전압 스위칭 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 이 2N7002 장치는 최대 드레인 소스 전압(VDS)이 60V, 연속 드레인 전류(ID)가 105mA ~ 210mA, 낮은 온저항[RDS(on)]이 7.5Ω~13.5Ω입니다. FET는 신호 처리, 부하 스위칭 및 레벨 시프팅 애플리케이션에 적합한 낮은 게이트 전하로 신속한 스위칭 성능을 제공합니다. Diodes Inc. 트랜지스터는 컴팩트한 SOT-23 패키지에 들어 있어 고밀도 회로 설계에 공간을 효율적으로 이용할 수 있습니다. 또한, 2N7002FET는 무연이고 RoHS를 준수하며 자동 표면 실장 조립용으로 설계되었습니다.
특징
- 낮은 온-저항
- 낮은 게이트 임계 전압
- 낮은 입력 정전용량
- 빠른 전환 속도
- 소형 표면 실장 SOT23 패키지
- J-STD-020 습기 민감도 수준(MSL) 1
- 완전 무연 및 완전 RoHS 준수
- 무할로겐/무안티몬 친환경 장치
애플리케이션
- 모터 제어
- 전력 관리 기능
사양
- 60V 최대 드레인 소스/게이트 전압
- 최대 게이트-소스 전압
- ±20 V(연속)
- ±40V 펄스
- 105mA ~ 210mA 최대 연속 정상 상태 드레인 전류 범위
- 최대 연속 바디 다이오드 순방향 전류
- 0.2 A(연속)
- 0.5A 펄스
- 800mA 최대 펄스 드레인 전류
- 370mW ~ 540mW 총 전력 손실
- 오프 특성
- 70V 표준 드레인-소스 항복 전압
- 1 0µA(+25°C) ~ 500µA(+125°C) 제로 게이트 전압 드레인 전류 범위
- ±10nA 최대 게이트-바디 누설
- 온 특성
- 1 0V~ 2.5V 게이트 임계 전압 범위
- 7.5Ω ~ 13.5Ω 최대 정적 드레인 및 소스의 온-상태 저항(RDSon) 범위
- 1.0A 표준 온-상태 드레인 전류
- 80mS 최소 순방향 상호 컨덕턴스
- 최대 다이오드 순방향 전압: 1.5 V
- 동특성
- 50pF 최대 입력 정전용량, 22pF 일반
- 25pF 최대 출력 정전용량, 11pF 일반
- 5.0pF 최대 역전송 정전용량, 2.0pF 일반
- 120Ω 일반 게이트 저항
- 223pC 일반 총 게이트 전하
- 82pC 일반 게이트-소스 전하
- 178pC 일반 게이트 드레인 전하
- 2.8ns 일반 턴-온 지연 시간
- 3.0ns 일반 턴-온 상승 시간
- 7.6ns 일반 턴-오프 지연 시간
- 5.6ns 일반 턴-오프 하강 시간
- 최대 열 저항
- 241°C/W ~ 348°C/W 접합부-주변 범위
- 91°C/W 접합부-케이스
- 작동 온도 범위: -55 °C~++150 °C
- UL 94V-0 등급 성형 플라스틱, 친환경 성형 컴파운드
- 무광택 주석 도금 리드, 납땜 가능, MILSTD-202, 방법 208
관련 MOSFET
Diodes Incorporated Power MOSFETs
Portfolio of power MOSFETs with new N- and P-channel devices with breakdown voltages up to 6450V.
게시일: 2025-10-23
| 갱신일: 2025-10-31