Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ 자동차용 강화 모드 MOSFET
Diodes Incorporated DMTH8001STLW 자동차 강화 모드 MOSFET은 낮은 온 상태 저항(표준 1.1mΩ, 최대 1.7MΩ)과 우수한 스위칭 성능이 특징인 N-채널 MOSFET입니다. DMTH8001STLW는 80V의 드레인-소스 전압, 1µA의 제로 게이트 전압 드레인 전류, ±100nA의 게이트 소스 누설이 특징입니다. 이 장치는 AEC-Q101 인증을 받았으며 PPAP의 지원을 받고 자동차 애플리케이션에 맞게 최적화되어 있습니다.
Diodes Incorporated DMTH8001STLW 강화 모드 MOSFET은 열 효율적이고 콤팩트한 PowerDI® 1012-8(TOLL) 패키지로 제공됩니다. 최대 300A의 전류를 처리하도록 설계된 TOLL 패키지는 업계 표준 TO263 보다 PCB 면적이 20% 더 적습니다. 2.4mm의 오프 보드 프로파일을 제공하는 TOLL 패키지는 콤팩트하고 고밀도 설계에 이상적입니다.TOLL의 낮은 패키지 인덕턴스는 향상된 EMI 성능을 제공하고 주석 도금 그루 브 리드는 AOI(자동 광학 검사)의 요구를 충족합니다.
특징
- +175°C의 정격 온도로 높은 주변 온도 환경에 이상적임
- 생산 시 100% UIS(언클램프 유도 스위칭) 테스트로 보다 안정적이고 견고한 최종 애플리케이션 보장
- 높은 변환 효율
- 낮은 RDS(ON)으로 온 상태 손실 최소화
- 향상된 광학 검사를 위한 습식 플랭크
- 무연 마감, RoHS 준수
- 무할로겐 및 무안티몬 "친환경" 장치
- DMTH8001STLWQ는 특정한 변경 제어가 필요한 자동차 애플리케이션에 적합합니다. 이 부품은 AEC-Q101 인증을 받았으며 PPAP가 가능하고 IATF 16949 인증 시설에서 제조됩니다.
애플리케이션
- 모터 제어
- DC-DC 변환기
- 전력 관리
사양
- 80V 드레인-소스 전압(VDSS)
- 1.7mΩ 드레인 소스 온 상태 저항(RDS(ON))
- 1µA 제로 게이트 전압 드레인 전류(IDSS)
- ±100nA 게이트 소스 누설(IGSS)
- 2~4V 게이트 임계 전압(VGS(TH))
- ±20V 게이트-소스 전압(VGSS)
- 연속 드레인 전류(ID)
- 270A(TC= +25°C)
- 150A(TC= +100°C)
- 94ns 역방향 회복 시간(tRR)
- 291nC 역회복 충전(QRR)
- -55~+175°C 작동 접합 온도 범위(TJ)
- 케이스: POWERDI1012-8(TOLL)
- 케이스 재질: 성형 플라스틱, "녹색" 성형 UL 가연성 분류 등급: 94V-0
- 습도 민감도: J-STD-020에 따른 레벨 1
- 단자 - 구리 리드프레임 위로 무광택 주석 어닐링 마감
- MIL-STD-202, Method 208에 따라 납땜 가능
- 무게: 388g(근사값)
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내부 계통도
패키지 외형
게시일: 2022-03-22
| 갱신일: 2022-05-11