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Broadcom APML-600JV/JT 광 MOSFET

Broadcom APML-600JV/JT 광 MOSFET은 자동차 애플리케이션용으로 설계된 고전압 광 MOSFET입니다. 이 MOSFET은 고전압 출력 감지기 회로에 광학적으로 결합된 AlGaAs led(적외선 발광 다이오드) 입력단으로 구성됩니다. 이 감지기는 2개의 개별 고전압 MOSFET을 온/오프하는 고속 광전지 다이오드 어레이 및 드라이버 회로로 구성됩니다.  APML-600JV/JT 광 MOSFET은 입력 LED를 통해 1.5 mA의 최소 입력 전류로 켜집니다(접점 폐쇄).  광 MOSFET은 0.4 V 이하의 입력 전압으로 꺼집니다(접점 개방). APML-600JV/JT MOSFET은 콤팩트한 솔리드 스테이트 양방향 신호 스위치가 특징이며 AEC-Q101 인증을 받았습니다. APML-600JV/JT MOSFET은 강화된 절연 및 신뢰성을 제공하여 자동차 및 고온 산업용 애플리케이션에서 안전한 신호 절연을 제공합니다. 이상적으로, 이 MOSFET은 배터리 절연 저항 측정/누설 감지 및 BMS(배터리 관리 시스템)에 사용됩니다.

특징

  • 콤팩트한 솔리드 스테이트 양방향 신호 스위치
  • AEC-Q101 인증
  • 자동차 온도 범위:
    • APML-600JV: TA=-40~105ºC
    • APML-600JT: TA=-40~125°C
  • 1,500V 항복 전압 VO(OFF) (IO(OFF) =250μA)
  • 애벌랜치 등급 MOSFET
  • 낮은 오프 상태 누설 전류:
    • APML-600JV:IO(OFF) <500nA(VDS =1,000V)
    • APML-600JT:IO(OFF) <1,000nA(VDS =1,000V)
  • 온 상태 저항:RON <900Ω(IO =1mA)
  • 턴온 시간:TON <2.0ms
  • 턴오프 시간:TOFF <0.5ms
  • 300mil SO-16 패키지
  • 8mm 이상의 연면 거리 및 간극(입력-출력)
  • 5 mm 이상의 연면 거리(MOSFET의 드레인 핀 사이)
  • 안전 및 규정 승인:
    • IEC/EN/DIN EN 60747-5-5
    • 1,414VPEAK 최대 작동 절연 전압
    • 5,000VRMS (1분), UL/cUL 1577 준수

애플리케이션

  • 배터리 절연 저항 측정/누출 감지
  • BMS(배터리 관리 시스템)

기능 선도

블록 선도 - Broadcom APML-600JV/JT 광 MOSFET

패키지 외형도

기계 도면 - Broadcom APML-600JV/JT 광 MOSFET
게시일: 2024-03-12 | 갱신일: 2024-03-25