iCoupler 기술을 사용하여 개발한 이 드라이버는 6-리드 와이드 바디 SOIC 패키지(연면 거리 8mm)에서 정밀 5kVrms 절연 기능을 제공합니다. ADuM4120/ADuM4121의 고속 CMOS 및 모놀리식 변압기 기술을 사용하여 게이트 드라이버가 폭넓은 범위의 스위칭 전압 범위에서 IGBT/MOSFET 스위칭 특성을 안정적으로 제어하도록 할 수 있습니다. 높은 CMTI(공통 모드 과도 응답 내성) 및 강력한 구동 강도가 장점인 ADuM4120/ADuM4121은 고속 스위칭 기술을 위한 훌륭한 옵션입니다.
특징
- 피크 출력 전류 2.3A(RDSON_x 2Ω 미만)
- VDD1 입력 범위 2.5~6.5V
- VDD2 출력 범위 4.5~35V
- 2.3V VDD1에서 (ADuM4120) UVLO
- 2.5V VDD1에서 (ADuM4121) UVLO
- VDD2에 대한 여러 가지 UVLO 옵션
- A 등급 - 4.4V(표준) 양방향(포지티브) 진행 임계값
- B 등급 - 7.3V(표준) 양방향(포지티브) 진행 임계값
- C 등급 - 11.3V(표준) 양방향(포지티브) 진행 임계값
- 정밀한 타이밍 특성
- 최대 아이솔레이터 및 드라이버 전파 지연 하강 에지 79ns(ADuM4120)
- CMOS 입력 논리 수준
- 높은 CMTI(공통 모드 과도응답 내성): 150kV/μs
- 기본 낮은 출력
- 최대 아이솔레이터 및 드라이버 전파 지연 하강 에지 53ns(ADuM4121)
- 높은 접합 온도 작동: 125°C
- 안전 및 규정 승인(계류 중)
- UL 1577에 대한 UL 승인
- 1분 동안 SOIC 지속 5kVrms 패키지
- CSA 구성품 수락 고지 5A
- VDE 적합성 인증서(계류 중)
- DIN V VDE V 0884-10(VDE V 0884-10):2006-12
- VIORM = 849V 피크
- 연면 거리 8mm
- 연면 거리가 증가된 와이드 바디, 6리드 SOIC
애플리케이션
- 스위칭 전원 공급 장치
- IGBT/MOSFET 게이트 드라이버
- 산업용 인버터
- 질화갈륨(GaN)/탄화규소(SiC) 전원 장치
게시일: 2017-10-23
| 갱신일: 2022-04-26

