특징
- 통합형 이중 채널 RF 프런트 엔드
- 2단 LNA 및 고전력 SPDT 스위치
- 온칩 바이어스 및 정합
- 단일 전원 작동
- 이득
- 고이득 모드: 4.6GHz에서 33dB(표준)
- 저이득 모드: 4.6GHz에서 18dB(표준)
- 낮은 잡음 지수
- 고이득 모드: 4.6GHz에서 1.6dB(표준)
- 저이득 모드: 4.6GHz에서 1.6dB(표준)
- 높은 절연 성능
- RxOut-ChA 및 RxOut-ChB: 45dB(표준)
- TERM-ChA 및 TERM-ChB: 53dB(표준)
- 낮은 삽입 손실: 4.6GHz에서 0.5dB(표준)
- TCASE = 105°C 조건에서 고전력 처리
- 전체 수명
- LTE 평균 전력(9dB PAR): 40dBm
- 단일 이벤트(10초 미만의 작동)
- LTE 평균 전력(9dB PAR): 43dBm
- 전체 수명
- 높은 OIP3: 31dBm(표준)
- LNA용 출력 감소 모드 및 저이득 모드
- 낮은 공급 전류
- 고이득 모드: 5V에서 86mA(표준)
- 저이득 모드: 5V에서 36mA(표준)
- 출력 감소 모드: 5V에서 12mA(표준)
- 포지티브 로직 제어
- 6mm×6mm, 40-리드 LFCSP(36mm2)
애플리케이션
- 무선 인프라
- TDD 대규모 다중 입력 및 다중 출력(대용량 MIMO)과 액티브 안테나 시스템
- TDD 기반 통신 시스템
기능 블록 선도
게시일: 2019-10-09
| 갱신일: 2024-03-11

