Diodes Incorporated MMBFx N 채널 강화 모드 MOSFET
Diodes Inc. MMBFx N 채널 강화모드 MOSFET은 온-상태 저항(RDS(ON))을 최소화하고 우수한 스위칭 성능을 유지하도록 설계되었습니다. MMBFx MOSFET는 낮은 게이트 임계값 전압, 입력용량, 입력/출력 누설을 제공합니다. 이 MOSFET는 고효율 전력 관리 애플리케이션에 이상적입니다. 애플리케이션으로 전원 관리 기능 및 아날로그 스위치가 있습니다.
특징
- Low on-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- Lead-free and fully RoHS compliant
- Halogen and Antimony free green device
- AEC-Q101 qualified standards for high reliability
- PPAP Capable
사양
- Materials
- SOT23 case
- Molded plastic case material
- 94V-0 UL flammability classification rating
- Level 1 per J-STD-020 moisture sensitivity
- Matte tin finish annealed over alloy 42 lead frame (Lead-Free Plating) terminals
- 0.008g weight (approximate)
- Ratings
- 60V drain-source voltage
- 60V drain-gate voltage
- 417K/W thermal resistance
- Thermal
- -55°C to +150°C operating and storage temperature range
- Electrical
- 70V typical drain-source breakdown voltage
- 1.0µA drain current
- 40pF maximum input capacitance
- 30pF maximum output capacitance
- 5.0pF maximum reverse transfer capacitance
- 10ns maximum turn-on/turn-off time
게시일: 2016-05-02
| 갱신일: 2022-03-11