Micron XTR NVMe™ SSD

Micron XTR NVMe ™ SSD는 극도의 내구성을 제공하도록 설계되어 쓰기 작업이 많은 워크로드에 필요한 안정적인 캐싱을 지원합니다.  이 장치는 계층화된 스토리지 환경에서 값비싼 로깅 및 읽기/쓰기 캐싱용 SCM(Storage Class Memory) SSD를 비용 효율적으로 대체하려는 데이터 센터를 위해 제작되었습니다.  Micron NAND 및 고도로 최적화된 펌웨어 기술을 결합하는 경우 이 SSD는 하루에 35회 RDWPD(랜덤 드라이브 쓰기)와 60회 SDWPD(순차 드라이브쓰기)를 제공할 수 있습니다. 이 장치는 드라이브당 20% 이상의 가용 용량을 제공하는 동시에 최대 44% 이하의 유효 전력을 소비하여 운영 비용을 절감함으로써 탁월한 경제성을 보장합니다. XTR SSD는 업계에서 검증된 수직 통합형 설계를 선보이며 Intel Optane SSD에 필적하는 실제 내구성과 성능을 제공하는 동시에 공급 신뢰성을 향상시킵니다. 이 장치는 계층, 버퍼링, 로깅, OLTP 및 기타 쓰기 집약적인 작업에 이상적입니다.

특징

  • 쓰기 작업이 가장 많은 워크로드를 위한 안정적인 캐싱:
    • 최대 60회 SDWPD(100% 128KB 순차 쓰기 내구성)
    • 최대 35회 RDWPD(100% 4 KB 랜덤 쓰기 내구성)
    • TLC 기반 SSD보다 10배 높은 내구성
    • 20%의 비용으로 최대 35%의 Intel Optane SSD 내구성 제공
  • 검증된 수직 통합 스토리지 아키텍처 및 업계 최고의 보안:
    • 빠르고 쉬운 검증을 위한 3세대 Micron Gen4 NVMe™ 아키텍처
    • ASIC 레벨에서 FIPS 140-3 L2 인증을 받은 TAA 규격 준수 SKU로 보안 극대화
  • Intel Optane SSD와 유사한 워크로드 가속:
    • Microsoft® SQL Server® 분석 워크로드에 거의 동일한 성능:
      • Micron XTR + Micron 6500 ION SSD = 표준 쿼리 실행 시간 74분
      • Intel Optane SSD + Micron 6500 ION SSD = 표준 쿼리 실행 시간 73분
      • 델타 = 1분(~1.3%)
    • 44% 더 낮은 유효 전력 소비
    • 20% 더 많은 가용 용량

사양

  • Micron® 3D TLC NAND 플래시
  • PCI Express Gen4:
    • U.2와 역호환되는 U3 단일 포트(x4)
  • NVM Express:
    • 132 네임스페이스 지원
    • 긴급 중재 지원 가중치 라운드 로빈
  • 용량(포맷되지 않음):
    • U3: 960 GB 및 1 920 GB
  • 내구성: (TBW (총 쓰기 바이트))
    • 60회 순차 DWPD에서 최대 210 000 TB
    • 35회 랜덤 DWPD에서 최대 125,000TB
  • 엔터프라이즈 섹터 크기로 512바이트 및 4096바이트 섹터 크기 지원(구성 가능)
  • 보안:
    • 디지털 서명 펌웨어
    • FIPS 140-3 L.2 인증서
    • TAA 호환 SKU
    • SED(자체 암호화 드라이브) SKU
    • SPDM 1.1 사양
    • 격리된 보안 환경
    • Micron 엔터프라이즈 보안 제품군
    • 하드웨어 신뢰 루트 및 신뢰 체인
    • TCG DICE(장치 식별자 구성 엔진)
    • 보안 해시 SHA-512 (SHA-384 및 SHA-256도 지원)
    • RSA 키 사이즈 및 서명 방식 3K/4K
  • 대기시간:
    • 60nS 읽기(표준)
    • 15μs 쓰기(표준)
  • SISR(Surprise Insertion/Surprise Removal) 및 핫플러그 가능
  • 자체 모니터링, 분석 및 보고 기술(SMART)
  • 재설정 없이 활성화를 지원하는 현장 업그레이드 가능한 펌웨어
  • 성능:
    • 순차 128KB 읽기: 최대 6800MB/s
    • 순차 128KB 쓰기: 최대 5600MB/s
    • 랜덤 4KB 읽기: 최대 900,000IOPS
    • 랜덤 4KB 쓰기: 최대 350,000IOPS
  • 신뢰도:
    • MTTF: 0°C~55°C에서 2.0M 시간 및 0°C~50°C에서 2.5M 시간
    • 정적 및 동적 마모 균등화
    • 수정할 수 없는 비트 오류율(UBER): 1017 비트 읽기당 1섹터 미만
    • OCP 1.0a 준수 엔드-투-엔드 데이터 보호
    • 엔터프라이즈 전력 손실 보호
  • 0 °C ~ 70 °C 작동 온도(상업)
  • 100.45 mm x 70.10 mm x 15 mm 크기의 U3 폼 팩터
  • 전기 사양:
    • U3 전원 공급 장치: 12V ±10%
    • U3 보조 전원: 3.3V ±5%

애플리케이션

  • 캐싱 계층, 버퍼링, 로깅, 저널링, OLTP 및 기타 쓰기 집약적인 워크로드에 이상적임
  • 데이터 센터

기계 도면

기계 도면 - Micron XTR NVMe™ SSD
게시일: 2024-02-06 | 갱신일: 2024-03-05