533 MHz DRAM

결과: 33
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 1,550재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SDRAM - LPDDR2 2 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 16 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT 313재고 상태
855주문 중
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR2 2 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 16 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT 166재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR2 4 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C
Micron DRAM LPDDR2 1Gbit 32 134/170 VFBGA 1 AT 975재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 32 bit 533 MHz FBGA-134 32 M x 32 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 105 C MT42L Tray
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT 145재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 533 MHz BGA-168 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
855예상 2027-08-18
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR2 4 Gb 4 bit 533 MHz BGA-168 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
1,118예상 2027-07-30
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
2,000예상 2027-08-12
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SDRAM - LPDDR2 4 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape, MouseReel
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 533MHz, Commercial Temp 재고 없음
최소: 36
배수: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 533MHz, Industrial Temp 재고 없음
최소: 36
배수: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 400MHz, Commercial Temp 재고 없음
최소: 36
배수: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM 8M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
최소: 36
배수: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL Tray
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 400MHz, Commercial Temp 재고 없음
최소: 36
배수: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM 8M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
최소: 36
배수: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL Tray
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 300MHz, Commercial Temp 재고 없음
최소: 36
배수: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 300MHz, Industrial Temp 재고 없음
최소: 36
배수: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
최소: 1
배수: 1

LLDRAM II 288 Mbit 18 bit 533 MHz uBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
최소: 1
배수: 1

LLDRAM II 288 Mbit 18 bit 533 MHz uBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 16 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 32Mx16, 1066 at CL7, 1.8V, FBGA-84 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 533 MHz FPGA-84 32 M x 16 350 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 1066 at CL7, 1.8V, FBGA-84 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 533 MHz FPGA-84 64 M x 16 350 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 171
배수: 171

SDRAM - LPDDR2 2 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 533 MHz WBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC18320A
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 576 Mbit 36 bit 533 MHz WBGA-144 16 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C IS49NLC36160A
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 533 MHz WBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A