Asynchronous 반도체

반도체의 유형

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ISSI NAND 플래시 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT
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Alliance Memory NAND 플래시 SLC Parallel NAND 플래시, 4Gb, x8, 3.3V, 4bit ECC, 25ns, 63b FBGA, Industrial Grade4Gb, x8, 3.3V, SLC Parallel NAND 플래시, 4bit ECC, 25ns, 63b FBGA, Industrial Grade
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ISSI NAND 플래시 1G 3V x8 1-bit NAND 플래시
96예상 2027-08-10
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ISSI NAND 플래시 2G 3.3V x8 1-bit NAND 플래시 I-Temp
96예상 2026-12-02
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Microchip Technology NOR 플래시 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ 비재고 리드 타임 10 주
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Microchip Technology NOR 플래시 1.65V to 1.95V 16Mbit Multi-Prps Fl 비재고 리드 타임 11 주
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Microchip Technology NOR 플래시 1.65V to 1.95V 16Mbit Multi-Prps Fl 비재고 리드 타임 11 주
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Microchip Technology NOR 플래시 1.65V to 1.95V 16Mbit Multi-Prps Fl 비재고 리드 타임 11 주
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Microchip Technology NOR 플래시 1.65V to 1.95V 16Mbit Multi-Prps Fl 비재고 리드 타임 11 주
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Microchip Technology NOR 플래시 1.65V to 1.95V 16Mbit Multi-Prps Fl 비재고 리드 타임 10 주
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Microchip Technology NOR 플래시 1.65V to 1.95V 16Mbit Multi-Prps Fl 비재고 리드 타임 11 주
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Microchip Technology NOR 플래시 3.0 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 12 주
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Microchip Technology NOR 플래시 3.0 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 11 주
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Microchip Technology NOR 플래시 3.0 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 12 주
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Microchip Technology NOR 플래시 3.0 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 11 주
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Microchip Technology NOR 플래시 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 12 주
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Microchip Technology NOR 플래시 3.0 to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 12 주
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Microchip Technology NOR 플래시 3.0 to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 12 주
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Microchip Technology NOR 플래시 3.0 to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 10 주
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Microchip Technology NOR 플래시 3.0 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 10 주
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Microchip Technology NOR 플래시 3.0 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 12 주
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