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|
디스크리트 반도체 모듈 50A 800V SCR CC MODULE POWER
- M505013
- Crydom
-
1:
₩124,670.4
-
재고 없음
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Mouser 부품 번호
558-M505013
|
Crydom
|
디스크리트 반도체 모듈 50A 800V SCR CC MODULE POWER
|
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재고 없음
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₩124,670.4
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₩118,742.4
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₩113,346.4
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₩110,002.4
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최소: 1
배수: 1
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디스크리트 반도체 모듈 50A 800V SCR CC MODULE POWER
- M505013FV
- Crydom
-
1:
₩136,480.8
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
558-M505013FV
|
Crydom
|
디스크리트 반도체 모듈 50A 800V SCR CC MODULE POWER
|
|
재고 없음
|
|
|
₩136,480.8
|
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₩129,975.2
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|
₩124,077.6
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₩120,429.6
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최소: 1
배수: 1
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|
디스크리트 반도체 모듈 50A 1200V SCR BRDG MODULE POWER
- M505035
- Crydom
-
1:
₩202,996
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
558-M505035
|
Crydom
|
디스크리트 반도체 모듈 50A 1200V SCR BRDG MODULE POWER
|
|
재고 없음
|
|
|
₩202,996
|
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|
₩193,328.8
|
|
|
₩184,558.4
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₩179,132
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
디스크리트 반도체 모듈 50A 1000V AC SWITCH MODULE POWER
- M505044
- Crydom
-
1:
₩124,700.8
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
558-M505044
|
Crydom
|
디스크리트 반도체 모듈 50A 1000V AC SWITCH MODULE POWER
|
|
재고 없음
|
|
|
₩124,700.8
|
|
|
₩118,757.6
|
|
|
₩113,361.6
|
|
|
₩110,032.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
디스크리트 반도체 모듈 50A 600V BRDG DBLR MODULE POWER
- M505062V
- Crydom
-
1:
₩121,204.8
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
558-M505062V
|
Crydom
|
디스크리트 반도체 모듈 50A 600V BRDG DBLR MODULE POWER
|
|
재고 없음
|
|
|
₩121,204.8
|
|
|
₩115,428.8
|
|
|
₩110,184.8
|
|
|
₩106,947.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
디스크리트 반도체 모듈 50A 1000V BRDG DBLR MODULE POWER
- M505064V
- Crydom
-
1:
₩145,448.8
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
558-M505064V
|
Crydom
|
디스크리트 반도체 모듈 50A 1000V BRDG DBLR MODULE POWER
|
|
재고 없음
|
|
|
₩145,448.8
|
|
|
₩138,517.6
|
|
|
₩132,224.8
|
|
|
₩128,333.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
디스크리트 반도체 모듈 MODULE, POWER, DIODE 80 AMPS, 240 VAC
- M508012F
- Crydom
-
10:
₩238,503.2
-
비재고 리드 타임 18 주
|
Mouser 부품 번호
558-M508012F
|
Crydom
|
디스크리트 반도체 모듈 MODULE, POWER, DIODE 80 AMPS, 240 VAC
|
|
비재고 리드 타임 18 주
|
|
|
₩238,503.2
|
|
|
₩227,665.6
|
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|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 10
배수: 10
|
|
|
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|
MOSFET 모듈 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6LI
- MSCSM170AM029CT6LIAG
- Microchip Technology
-
1:
₩2,032,179.2
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
579-M170AM029CT6LIAG
|
Microchip Technology
|
MOSFET 모듈 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6LI
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
MOSFET 모듈 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6P
- MSCSM170TAM15CTPAG
- Microchip Technology
-
1:
₩1,182,012.8
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
579-M170TAM15CTPAG
|
Microchip Technology
|
MOSFET 모듈 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6P
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
MOSFET 모듈 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6P
- MSCSM170TAM23CTPAG
- Microchip Technology
-
1:
₩906,908
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
579-M170TAM23CTPAG
|
Microchip Technology
|
MOSFET 모듈 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6P
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
IGBT 모듈 1200 V, 80 A booster IGBT module
- DF80R12W2H3F_B11
- Infineon Technologies
-
1:
₩107,160
-
비재고 리드 타임 18 주
|
Mouser 부품 번호
641-DF80R12W2H3F_B11
|
Infineon Technologies
|
IGBT 모듈 1200 V, 80 A booster IGBT module
|
|
비재고 리드 타임 18 주
|
|
|
₩107,160
|
|
|
₩81,593.6
|
|
|
₩75,513.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
IGBT 모듈 IGBT 1700V 225A
- FF225R17ME4
- Infineon Technologies
-
1:
₩264,632
-
비재고 리드 타임 24 주
|
Mouser 부품 번호
641-FF225R17ME4
|
Infineon Technologies
|
IGBT 모듈 IGBT 1700V 225A
|
|
비재고 리드 타임 24 주
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
IGBT 모듈 IGBT 6500V 750A
- FZ750R65KE3
- Infineon Technologies
-
1:
₩4,067,580.8
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
641-FZ750R65KE3
|
Infineon Technologies
|
IGBT 모듈 IGBT 6500V 750A
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
|
₩4,067,580.8
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
다이오드 모듈 5W 18-36Vin +/-15V +/-16.7 - +/-167mA
- DLW05B-15
- MEAN WELL
-
1:
₩20,641.6
-
비재고 리드 타임 22 주
|
Mouser 부품 번호
709-DLW05B-15
|
MEAN WELL
|
다이오드 모듈 5W 18-36Vin +/-15V +/-16.7 - +/-167mA
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
IGBT 모듈 1700 V, 1200 A dual IGBT module
- FF1200XTR17T2P5PBPSA1
- Infineon Technologies
-
4:
₩1,962,198.4
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
726-FF1200XTR17T2P5P
|
Infineon Technologies
|
IGBT 모듈 1700 V, 1200 A dual IGBT module
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
|
₩1,962,198.4
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 4
배수: 4
|
|
|
|
|
IGBT 모듈 1700 V, 1800 A dual IGBT module
- FF1800R17IP5BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩2,102,752.8
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
726-FF1800R17IP5BPSA
|
Infineon Technologies
|
IGBT 모듈 1700 V, 1800 A dual IGBT module
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
IGBT 모듈 1200 V, 225 A dual IGBT module
- FF225R12ME4PBPSA1
- Infineon Technologies
-
6:
₩242,576.8
-
비재고 리드 타임 24 주
|
Mouser 부품 번호
726-FF225R12ME4PBPSA
|
Infineon Technologies
|
IGBT 모듈 1200 V, 225 A dual IGBT module
|
|
비재고 리드 타임 24 주
|
|
|
₩242,576.8
|
|
|
₩186,108.8
|
|
최소: 6
배수: 6
|
|
|
|
|
디스크리트 반도체 모듈 Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
- BSM080D12P2C008
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩506,038.4
-
비재고 리드 타임 27 주
|
Mouser 부품 번호
755-BSM080D12P2C008
|
ROHM Semiconductor
|
디스크리트 반도체 모듈 Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
|
|
비재고 리드 타임 27 주
|
|
|
₩506,038.4
|
|
|
₩484,484.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
MOSFET 모듈 1200V, 134A, Chopper, Silicon-carbide (SiC) Power Module
- BSM120C12P2C201
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩668,526.4
-
비재고 리드 타임 27 주
|
Mouser 부품 번호
755-BSM120C12P2C201
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET 모듈 1200V, 134A, Chopper, Silicon-carbide (SiC) Power Module
|
|
비재고 리드 타임 27 주
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
MOSFET 모듈 1200V, 180A, Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
- BSM180C12P3C202
- ROHM Semiconductor
-
12:
₩860,821.6
-
비재고 리드 타임 27 주
|
Mouser 부품 번호
755-BSM180C12P3C202
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET 모듈 1200V, 180A, Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
|
|
비재고 리드 타임 27 주
|
|
최소: 12
배수: 12
|
|
|
|
|
MOSFET 모듈 1200V, 204A, Half bridge, Silicon-carbide (SiC) Power Module
- BSM180D12P2E002
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩1,183,624
-
비재고 리드 타임 27 주
|
Mouser 부품 번호
755-BSM180D12P2E002
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET 모듈 1200V, 204A, Half bridge, Silicon-carbide (SiC) Power Module
|
|
비재고 리드 타임 27 주
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
디스크리트 반도체 모듈 SIC Pwr Module Chopper
- BSM300C12P3E301
- ROHM Semiconductor
-
4:
₩1,605,120
-
비재고 리드 타임 27 주
|
Mouser 부품 번호
755-BSM300C12P3E301
|
ROHM Semiconductor
|
디스크리트 반도체 모듈 SIC Pwr Module Chopper
|
|
비재고 리드 타임 27 주
|
|
최소: 4
배수: 4
|
|
|
|
|
MOSFET 모듈 SIC Pwr Module Half Bridge
- BSM400D12P2G003
- ROHM Semiconductor
-
4:
₩4,012,800
-
비재고 리드 타임 27 주
|
Mouser 부품 번호
755-BSM400D12P2G003
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET 모듈 SIC Pwr Module Half Bridge
|
|
비재고 리드 타임 27 주
|
|
최소: 4
배수: 4
|
|
|
|
|
MOSFET 모듈 1200V, 447A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
- BSM450D12P4G102
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩1,180,128
-
비재고 리드 타임 27 주
|
Mouser 부품 번호
755-BSM450D12P4G102
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET 모듈 1200V, 447A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
|
|
비재고 리드 타임 27 주
|
|
|
₩1,180,128
|
|
|
₩1,031,031.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
디스크리트 반도체 모듈 1200V Vdss; 576A ID SiC Mod; SICSTD02
- BSM600C12P3G201
- ROHM Semiconductor
-
4:
₩2,247,168
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
755-BSM600C12P3G201
|
ROHM Semiconductor
|
디스크리트 반도체 모듈 1200V Vdss; 576A ID SiC Mod; SICSTD02
|
|
재고 없음
|
|
최소: 4
배수: 4
|
|
|
대한민국
