2 Gbit 반도체

반도체의 유형

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결과: 390
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Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 1,125재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 2GB 256MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Commercial 210재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 2GB 125MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Commercial 120재고 상태
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies S70GL02GT11FHI010
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 848재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 2GB 256MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial 205재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade 95재고 상태
380주문 중
최소: 1
배수: 1

Micron NAND 플래시 SLC 2G 256MX8 FBGA 1,831재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 500
: 1,000

Micron NAND 플래시 SLC 2Gbit 8 63/120 VFBGA 1 AT 1,221재고 상태
최소: 1
배수: 1

Micron NAND 플래시 SLC 2G 256MX8 TSOP 1,312재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 300
: 1,000

Micron DRAM 4,786재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Micron DRAM DDR3 2Gbit 16 96/144FBGA 1 CT 3,227재고 상태
2,448예상 2026-08-24
최소: 1
배수: 1
최대: 200

Micron NAND 플래시 SLC 2G 256MX8 FBGA 5,878재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SkyHigh Memory NAND 플래시 0BIT ECC, X8 I/O AND 3V VCC SLC NAND FLASH MEMORY 2KB PAGE SIZE TSOP (2Gb die) 299재고 상태
1,152주문 중
최소: 1
배수: 1
SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 2GB 125MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Industrial 124재고 상태
최소: 1
배수: 1



SkyHigh Memory NAND 플래시 SLC,2Gb,4x,3V,x16,1bit,VBM63, 1,827재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,300

SkyHigh Memory NAND 플래시 0BIT ECC, X1 X2 X4 I/O AND 3V VCC SLC NAND FLASH MEMORY 2KB PAGE SIZE LGA 358재고 상태
최소: 1
배수: 1
Micron NAND 플래시 SLC 2Gbit 16 48/48 TSOP 1 AT 554재고 상태
최소: 1
배수: 1

Micron NAND 플래시 SLC 2G 128MX16 FBGA 964재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 300
: 1,000

Micron DRAM LPDDR4 2G 128MX16 FBGA 1,815재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Micron DRAM DDR2 2G 256MX8 FBGA 306재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Micron NAND 플래시 SLC 2Gbit 1 24/25 TBGA 1 AT 919재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200


Micron DRAM LPDDR4 2G 128MX16 FBGA 293재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 142재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 1,110재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 184재고 상태
최소: 1
배수: 1