18 bit 반도체

반도체의 유형

카테고리 보기 변경
결과: 35
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
₩69,487.7
₩64,231.3
₩62,145.7
₩60,595.6
최소: 1
배수: 1
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
₩61,934.3
₩57,255.8
₩55,395.7
₩54,000.5
최소: 1
배수: 1
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
₩119,091.5
₩110,002.2
₩106,394.6
₩103,731.2
최소: 1
배수: 1
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
₩112,552.8
₩103,956.7
₩100,546.4
₩98,038
최소: 1
배수: 1
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO 비재고 리드 타임 18 주
₩383,964.7
최소: 50
배수: 1
없음
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO 비재고 리드 타임 18 주
₩414,544.4
최소: 50
배수: 1
없음
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩95,036.4
최소: 104
배수: 104
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩91,893.9
최소: 104
배수: 104
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩95,036.4
최소: 104
배수: 104
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩89,089.6
최소: 104
배수: 104