13 인덕터, 초크 및 코일

인턱터, 초크 및 코일 유형
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결과: 342
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS 인덕턴스
공차
최대 DC 전류
종단 스타일
최고 작동온도
자격
Wurth Elektronik RF 인덕터 - SMD WE-TCI Thinfilm 8.2nH 220mA 1.1Ohm
데이터시트
9,999예상 2026-09-25
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 10,000

8.2 nH 2 % 220 mA SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik RF 인덕터 - SMD WE-TCI Thinfilm 10nH 200mA 1.3Ohm
데이터시트
9,967예상 2026-09-25
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 10,000

10 nH 2 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
Murata Electronics RF 인덕터 - SMD 3 NH +-.2NH
데이터시트
23,380예상 2026-12-07
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 4,000

3 nH 0.2 nH 670 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 1.00 nH 0.500 A 50.00 mOhm
데이터시트
5,441재고 상태
8,000예상 2026-12-22
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1 nH 0.3 nH 500 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD IND 120.00 nH 0.300 A 950.00 mOhm
데이터시트
4,000예상 2026-12-14
최소: 1
배수: 1
: 4,000

120 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD Thin Film Chip Inductor 1.0 x 0.5 x 0.32mm
데이터시트
9,965예상 2028-01-28
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 10,000

17 nH 2 % 100 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON RF 인덕터 - SMD Thin Film Chip Inductor 1.0 x 0.5 x 0.32mm
데이터시트
10,000예상 2026-09-01
최소: 1
배수: 1
: 10,000

22 nH 2 % 90 mA SMD/SMT + 85 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

2.5 nH 0.1 nH 640 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

2.5 nH 5 % 640 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

2.5 nH 10 % 640 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

2.2 nH 0.1 nH 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

2.2 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

2.2 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 12,000
배수: 4,000
: 4,000

2.2 nH 5 % 900 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 12,000
배수: 4,000
: 4,000

1.2 nH 5 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 12,000
배수: 4,000
: 4,000

2.4 nH 5 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

2.5 nH 0.1 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

2.5 nH 5 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

2.5 nH 10 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

2.2 nH 0.1 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

2.2 nH 5 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

2.2 nH 10 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 12,000
배수: 4,000
: 4,000

2.2 nH 5 % 900 mA SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik RF 인덕터 - SMD WE-TCI 0402 3 nH 0.1 nH Qmin = 13 RDCmax = 0.45 Ohms
데이터시트
비재고 리드 타임 11 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

3 nH 0.1 nH SMD/SMT + 85 C
Wurth Elektronik RF 인덕터 - SMD WE-TCI Thinfilm 3.3nH 380mA .4Ohm
데이터시트
리드 타임 11 주
최소: 1
배수: 1
: 10,000

3.3 nH 2 % 380 mA SMD/SMT + 125 C