High Voltage 저항기

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 종단 스타일 저항 전력 정격 공차 온도 계수 케이스 코드 - in 케이스 코드 - mm
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 50M 1% 100 ST 6,230재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT 50 MOhms 300 mW 1 % 100 PPM / C 1206 3216
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD 200M OHM 1% 2KV 3,889재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT 200 MOhms 500 mW (1/2 W) 1 % 150 PPM / C 2010 5025
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHP1206 3-sided nickel barrier 2M00 0.01 100ppm Sn100 1,514재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT 2 MOhms 500 mW (1/2 W) 1 % 100 PPM / C 1206 3216
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD 200M OHM 1% 2KV 1,461재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT 200 MOhms 500 mW (1/2 W) 1 % 150 PPM / C 2010 5025
Vishay / Draloric 후막 저항기 - SMD RCV2512 200 1M0 5% E67 e3 2,739재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT 1 MOhms 1 W 5 % 200 PPM / C 2512 6332
Vishay / Draloric 후막 저항기 - SMD .125w 3.9Mohm 1% 100ppm 14,750재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 3.9 MOhms 125 mW (1/8 W) 1 % 100 PPM / C 0805 2012
Vishay / Draloric 후막 저항기 - SMD .25w 110Kohms 1% 100ppm 10,581재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 110 kOhms 250 mW (1/4 W) 1 % 100 PPM / C 1206 3216
Vishay 후막 저항기 - SMD RCV2010 100 3M0 1% E02 e3 3,080재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000
SMD/SMT 3 MOhms 750 mW (3/4 W) 1 % 100 PPM / C 2010 5025
Vishay / Draloric 후막 저항기 - SMD RCV2512 200 10M 5% E67 e3 1,019재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT 10 MOhms 1 W 5 % 200 PPM / C 2512 6332
Vishay / Draloric 후막 저항기 - SMD RCV2512 200 2M2 5% E67 e3 1,649재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT 2.2 MOhms 1 W 5 % 200 PPM / C 2512 6332
Vishay / Draloric 후막 저항기 - SMD .25w 1.6Mohm 1% 100ppm 8,810재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 1.6 MOhms 250 mW (1/4 W) 1 % 100 PPM / C 1206 3216
Vishay / Draloric 후막 저항기 - SMD 0.75W 20Mohms 5% 200ppm 3,849재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

SMD/SMT 20 MOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 2010 5025
Vishay / Draloric 후막 저항기 - SMD 4.7Mohms 5% 200ppm AEC-Q200 4,534재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT 4.7 MOhms 1 W 5 % 200 PPM / C 2512 6332
Vishay / Draloric 후막 저항기 - SMD 1W 100Kohms 1% 100ppm 2,670재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT 100 kOhms 1 W 1 % 100 PPM / C 2512 6332
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M .5% 100 E5 e3 350재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 500

SMD/SMT 10 MOhms 300 mW 0.5 % 100 PPM / C 1206 3216
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M 5% 100 ET e3 193재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT 10 MOhms 300 mW 5 % 100 PPM / C 1206 3216
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV2512AF 30M 1% 100 ET e3 177재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT 30 MOhms 1 W 1 % 100 PPM / C 2512 6332
Vishay / Draloric 후막 저항기 - SMD 100Kohms 5% 200ppm AEC-Q200 3,368재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT 100 kOhms 1 W 5 % 200 PPM / C 2512 6332
Vishay / Draloric 후막 저항기 - SMD 0.75W 47Mohms 5% 200ppm 3,221재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

SMD/SMT 47 MOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 2010 5025
Vishay / Draloric 후막 저항기 - SMD 20Mohms 5% 200ppm AEC-Q200 5,383재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT 20 MOhms 1 W 5 % 200 PPM / C 2512 6332
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHP2512 3-sided nickel barrier 33M0 0.01 100ppm Sn100 939재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT 33 MOhms 1.5 W 1 % 100 PPM / C 2512 6332
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 1% 100 FT e2 249재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT 1 GOhms 300 mW 1 % 100 PPM / C 1206 3216
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV2010 3-sided nickel barrier 33M0 0.1 200ppm Sn62/Pb36/Ag2, HSD 리드 타임 40 주
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT 33 MOhms 500 mW (1/2 W) 10 % 200 PPM / C 2010 5025
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV2510AF 10M 1% 100 ET e3 224재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT 10 MOhms 600 mW 1 % 100 PPM / C
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206 3-sided nickel barrier 4M70 0.1 200ppm Sn62/Pb36/Ag2, HSD 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT 4.7 MOhms 300 mW 10 % 200 PPM / C 1206 3216