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.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

이산 반도체의 유형

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적용된 필터:

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onsemi NVMTS1D1N08X N‐Channel Power MOSFETs

09-17-2026

- 80V automotive MOSFETs with low on-resistance and soft-recovery body diode.

onsemi ESDM1021 ESD 보호 다이오드

09-14-2026

- GPIO 및 저전압 전력 라인 보호를 위한 콤팩트한 2V 양방향 ESD 다이오드입니다.

onsemi NXH011F120M3F2 SiC MOSFET

08-25-2026

- 11mΩ 온 상태 저항 및 1,200V 정격의 풀 브리지 EliteSiC MOSFET 모듈.

onsemi 80V 단일 N채널 전력 MOSFET

08-25-2026

- 전도 손실을 최소화하기 위해 낮은 RDS(on) 값을 제공하고, 드라이버 손실을 최소화하기 위해 낮은 QG 및 정전 용량을 제공합니다.

onsemi EMD4DXV6 디지털 트랜지스터(BRT)

07-30-2026

- 단일 장치와 외부 저항 바이어스 네트워크를 대체하도록 설계되었습니다.

onsemi NVNJWS1K6N061L N채널 MOSFET

07-30-2026

- 낮은 RDS(on) 및 낮은 게이트 임계값을 특징으로 하며 ESD 보호 기능이 통합되어 있습니다.

onsemi GaNEXUS™ 질화갈륨 FET

07-08-2026

- 낮은 게이트 및 출력 전하, 빠른 스위칭 및 향상된 효율성을 위한 와이드 밴드갭 소재 특성.

onsemi NVBYST0D8N08X 단일 N-채널 전력 MOSFET

04-14-2026

- 고전압 작동에 최적화되어 있으며 빠른 스위칭과 고전류 스트레스를 견딜 수 있습니다.

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET

04-06-2026

- 고속 스위칭 애플리케이션을 위해 낮은 Rg로 설계된 이중 N-채널 MOSFET.

onsemi NVMFD5873NL 듀얼 N-채널 전력 MOSFET

03-13-2026

- 높은 열 성능을 포함하여 컴팩트하고 효율적인 설계를 위해 설계되었습니다.

onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET

12-26-2025

- 이 장치는 TCPAK1012(TopCool) 패키지에 낮은 QRR 및 소프트 복구 보디 다이오드를 제공합니다.

onsemi NVMFD5877NL 듀얼 N채널 MOSFET

12-19-2025

- 높은 열 성능을 포함하여 컴팩트하고 효율적인 설계를 위해 설계되었습니다.

onsemi NxT2023N065M3SEliteSiC MOSFET

12-04-2025

- 낮은 유효 출력 정전용량과 초저 게이트 전하가 특징입니다.

onsemi FDC642P-F085 소신호 MOSFET

11-25-2025

- 매우 낮은 RDS (on) 및 빠른 스위칭 속도를 위한 고성능 트렌치 기술을 제공합니다.

onsemi NTTFS007P02P8 P 채널 저전압/중전압 MOSFET

11-25-2025

- 극히 낮은 RDS (on) 스위칭 성능과 견고성을 위해 파워트렌치 기술을 사용하여 제작됩니다.

onsemi NVD5867NL 단일 N-채널 전력 MOSFET

11-20-2025

- 60 V 드레인-소스 전압, 39mΩ 드레인-소스 온 저항이 특징이며 AEC-Q101 인증을 받았습니다.

onsemi NVD6824NL 단일 N- 채널 MOSFET

11-20-2025

- 전도 손실과 높은 전류 성능을 최소화하기 위해 낮은 RDS (on)를 제공합니다.

onsemi NVMFS5830NL 단일 N-채널 전력 MOSFET

11-19-2025

- 까다로운 전력 관리 애플리케이션용으로 설계된 고효율 단일 N- 채널 전력 MOSFET입니다.

onsemi AFGB30T65RQDN IGBT

11-19-2025

- 전도 및 스위칭 손실이 낮은 높은 성능 지수를 제공합니다.

onsemi NZ8P 제너 보호 다이오드

11-19-2025

- ESD 및 과도 전압 이벤트로부터 민감한 전자 부품을 보호하도록 설계되었습니다.

onsemi NVMFS5832NL 단일 N-채널 전력 MOSFET

11-19-2025

- 효율적 인 전력 스위칭이 필요한 저전압 애플리케이션용으로 설계된 고성능 MOSFET입니다.

onsemi NVMFWS0D4N04XM 단일 N 채널 전력 MOSFET

11-16-2025

- 5 mmx6 mm SO8-FL 패키지로 제공되며, 소형 설계와 AEC-Q101 인증을 갖추고 있습니다.

onsemi NVNJWS200N031L 단일 N-채널 전력 MOSFET

10-14-2025

- 이 장치는 낮은 RDS(on) 및 낮은 게이트 임계값을 가지며 습식 측면으로 제공됩니다.

onsemi NTK3139P P-채널 싱글 전력 MOSFET

10-14-2025

- 설치 면적이 44% 더 작은 패키지로 제공되며 SC-89 패키지보다 38% 더 얇습니다.

onsemi AFGBG70T65SQDCN-채널 필드 스톱 IV IGBT

10-13-2025

- 이 장치는 낮은 전도 및 스위칭 손실로 최적의 성능을 제공합니다.

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필터링 기준:

onsemi NVMTS1D1N08X N‐Channel Power MOSFETs

09-17-2026

- 80V automotive MOSFETs with low on-resistance and soft-recovery body diode.

Vishay SQD50P04-09L 40V Automotive P-Channel Power MOSFET

09-16-2026

- The device is ideal for automotive, power distribution, and industrial power control applications.

STMicroelectronics TVS221SC-1T2 Unidirectional Single Line TVS

09-15-2026

- Designed to protect the power line or other low-speed I/O against ESD and small surge transients.

onsemi ESDM1021 ESD 보호 다이오드

09-14-2026

- GPIO 및 저전압 전력 라인 보호를 위한 콤팩트한 2V 양방향 ESD 다이오드입니다.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09-14-2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

Littelfuse AK1-A 축방향 리드 TVS 다이오드

09-10-2026

- AC 및 DC 라인 보호 애플리케이션의 가혹한 서지 테스트 환경을 충족 하도록 설계되었습니다.

Littelfuse TP7.0SMD-XC Automotive TVS Diode

09-10-2026

- Protects sensitive electronic equipment from voltage transients induced by lightning.

Littelfuse AK3-FB 축방향 리드 TVS 다이오드

09-10-2026

- AC 및 DC 라인 보호 애플리케이션의 가혹한 서지 테스트 환경을 충족 하도록 설계되었습니다.

Littelfuse AK3-A 축방향 리드 TVS 다이오드

09-10-2026

- AC 및 DC 라인 보호 애플리케이션의 가혹한 서지 테스트 환경을 충족 하도록 설계되었습니다.

Texas Instruments JFE2325 듀얼 저전력 N-채널 JFET

09-09-2026

- ECM(일렉트릿 콘덴서 마이크로폰)과 같은 초고임피던스 센서에 사용하도록 설계되었습니다.

IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET

09-02-2026

- 1200V, 55mΩ, 48.3A SiC MOSFET, 산업용 스위칭 모드 전원 장치에 사용하기 적합합니다.

IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET

09-02-2026

- 산업용 스위치 모드 전원 공급 장치에 권장되는 1200V, 35mΩ, 67A SiC MOSFET

IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET

09-02-2026

- 산업용 스위치 모드 전원 공급 장치에 권장되는 1200V, 21mΩ, 102A SiC MOSFET

IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET

09-02-2026

- 산업용 스위칭 모드 전원 장치에 권장되는 1200V, 18mΩ, 112A SiC MOSFET

IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET

09-02-2026

- 산업용 스위치 모드 전원 공급 장치에 권장되는 1200V, 13.5mΩ, 147A SiC MOSFET

Microchip Technology HV-D3 mSiC® 전력 모듈

09-01-2026

- 데이터 센터 및 기타 고전압 전력 애플리케이션에서 SST 채택을 간소화하고 가속화합니다.

IXYS SK002xSx 민감형 SCR

08-27-2026

- 마이크로프로세서 드라이브 지원 및 높은 잡음 내성을 갖춘 민감형 SCR입니다.

onsemi 80V 단일 N채널 전력 MOSFET

08-25-2026

- 전도 손실을 최소화하기 위해 낮은 RDS(on) 값을 제공하고, 드라이버 손실을 최소화하기 위해 낮은 QG 및 정전 용량을 제공합니다.

onsemi NXH011F120M3F2 SiC MOSFET

08-25-2026

- 11mΩ 온 상태 저항 및 1,200V 정격의 풀 브리지 EliteSiC MOSFET 모듈.

STMicroelectronics STGI15C60S 3상 인버터 및 IGBT SLLIMM

08-19-2026

- 이 장치는 하드 스위칭 회로도에서 최대 20kHz까지 작동하는 모터 드라이브에 이상적입니다.

Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode

08-17-2026

- Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.

Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode

08-17-2026

- Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.

Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode

08-14-2026

- Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.

Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode

08-14-2026

- Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.

Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode

08-14-2026

- Features a low forward voltage drop in a low-profile package.

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이산 반도체의 유형

적용된 필터:

필터링 기준:

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