트랜지스터의 유형
적용된 필터:
제조업체
= ROHM Semiconductor
현재 필터를 수정하려면 제품 탭으로 돌아가십시오.
ROHM Semiconductor 고밀도 SiC 전력 모듈
04-10-2026
04-10-2026
TRCDRIVE pack™, DOT-247 및 HSDIP20 패키지는 고성능 전력 변환(high-performance power conversion)에 기여합니다.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE 패키지™ (성형 모듈 포함)
03-17-2026
03-17-2026
41.6 mm × 52.5 mm 패키지로 제공되는 1 200 V 정격 전압이 특징이며 4 세대 SiC MOSFET을 통합하고 있습니다.
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT P-채널 전력 MOSFET
11-18-2025
11-18-2025
이 MOSFET은 VDSS 정격 -100V, ID 정격(VDS = 10V) ±105A를 갖습니다.
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA P-채널 전력 MOSFET
11-18-2025
11-18-2025
이 MOSFET은 VDSS 정격 -40V와 ID 정격 (VDS = -10V) ±22A를 갖습니다.
ROHM Semiconductor RD3x 오토모티브 N-채널 파워 MOSFET
10-16-2025
10-16-2025
AEC-Q101 인증 MOSFET으로, 낮은 순방향 전압, 빠른 리커버리 타임, 높은 서지 내성을 특징으로 합니다.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N-채널 SiC 전력 MOSFET
08-21-2025
08-21-2025
1700V 드레인-소스 전압(VDSS) 및 3.9A 연속 드레인 전류(ID) 정격의 SiC MOSFET.
ROHM Semiconductor RQxAT P채널 MOSFET
08-21-2025
08-21-2025
낮은 온 상태 저항을 가진 표면 실장 패키징이 특징이며, 100% Rg 및 UIS 테스트 완료.
ROHM Semiconductor RH7L04 60V N채널 전력 MOSFET
08-19-2025
08-19-2025
AEC-Q101 인증, 60V VDSS 및 ±40A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET.
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N채널 전력 MOSFET
08-19-2025
08-19-2025
AEC-Q101 인증을 획득한 40V VDSS 및 ±12A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET.
ROHM Semiconductor RH7L03 60V N-채널 전력 MOSFET
08-19-2025
08-19-2025
AEC-Q101 인증을 받은 60V VDSS 및 ±35A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N-채널 전력 MOSFET
08-19-2025
08-19-2025
AEC-Q101 인증을 받은 100V VDSS 및 ±40A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P채널 소신호 MOSFET
08-19-2025
08-19-2025
-40V 드레인-소스 전압(VDSS) 및 ±4.0A 연속 드레인 전류(ID) 정격의 MOSFET.
ROHM Semiconductor RH7G04 40V N-채널 전력 MOSFET
08-19-2025
08-19-2025
이러한 장치는 AEC-Q101 인증, 40V VDSS 및 ±40A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P-채널 전력 MOSFET
08-19-2025
08-19-2025
-60V VDSS 및 ±36A ID 정격의 AEC-Q101 인증을 받은 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P채널 전력 MOSFET
08-19-2025
08-19-2025
AEC-Q101 인증을 획득한 -30V VDSS 및 ±40A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET.
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1.5A 160V 전력 트랜지스터
08-06-2025
08-06-2025
저주파 증폭기에 적합하고 낮은 VCE(sat)를 가진 전력 트랜지스터.
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V 전력 트랜지스터
08-06-2025
08-06-2025
ROHM Semiconductor 증폭기로 적합한 VCE(sat)가 낮은 전력 트랜지스터입니다.
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V -40A P-채널 전력 MOSFET
08-06-2025
08-06-2025
이 MOSFET은 AEC-Q101 인증을 받은 자동차 등급 전력 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA 전력 MOSFET
08-04-2025
08-04-2025
HSMT8AG 패키지로 제공되는 AEC-Q101 인증을 받은 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor RxP120BLFRA 전력 MOSFET
07-22-2025
07-22-2025
자동차 애플리케이션에 이상적인 AEC-Q101 인증을 받은 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor RxL120BLFRA 전력 MOSFET
07-22-2025
07-22-2025
ADAS, 인포테인먼트, 조명, & 차체를 위한 AEC-Q101 인증 자동차 등급 MOSFET.
ROHM Semiconductor 자동차용 40V/60V 저전압 MOSFET (LV-MOSFET)
07-18-2025
07-18-2025
가혹한 차량용 애플리케이션을 위해 고성능과 검증된 신뢰성을 결합했습니다.
보기: 1 - 25/54
Qorvo QPD1000A GaN 입력 매칭 트랜지스터
10-14-2026
10-14-2026
28V 전원 레일에서 30MHz-1,215MHz 주파수 범위로 작동하는 50Ω 입력 매칭 개별 GaN-on-SiC HEMT입니다.
Qorvo QPD2562L GaN RF 전력 트랜지스터
10-06-2026
10-06-2026
2.5GHz~2.9GHz 및 2.9GHz~3.3GHz에서 작동하는 200W~300W 개별형 GaN-on-SiC HEMT입니다.
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET 모듈
10-02-2026
10-02-2026
전기 상용 차량 견인 인버터용 1400V CoolSiC MOSFET 모듈
Texas Instruments JFE2325 듀얼 저전력 N-채널 JFET
09-09-2026
09-09-2026
ECM(일렉트릿 콘덴서 마이크로폰)과 같은 초고임피던스 센서에 사용하도록 설계되었습니다.
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
09-02-2026
09-02-2026
1200V, 55mΩ, 48.3A SiC MOSFET, 산업용 스위칭 모드 전원 장치에 사용하기 적합합니다.
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
09-02-2026
09-02-2026
산업용 스위치 모드 전원 공급 장치에 권장되는 1200V, 13.5mΩ, 147A SiC MOSFET
onsemi 80V 단일 N채널 전력 MOSFET
08-25-2026
08-25-2026
전도 손실을 최소화하기 위해 낮은 RDS(on) 값을 제공하고, 드라이버 손실을 최소화하기 위해 낮은 QG 및 정전 용량을 제공합니다.
STMicroelectronics STGI15C60S 3상 인버터 및 IGBT SLLIMM
08-19-2026
08-19-2026
이 장치는 하드 스위칭 회로도에서 최대 20kHz까지 작동하는 모터 드라이브에 이상적입니다.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
08-12-2026
08-12-2026
Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
STMicroelectronics STH4N150-2AG N-채널 전력 MOSFET
08-10-2026
08-10-2026
자동차 애플리케이션에 적합한 높은 전압 수준과 뛰어난 내구성을 보장하도록 설계되었습니다.
Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N-채널 MOSFET
06-19-2026
06-19-2026
750V의 드레인-소스 전압, 빠른 전환 속도 및 3μs의 단락 견딤 시간을 특징으로 합니다.
보기: 1 - 25/623