이산 반도체의 유형
적용된 필터:
제조업체
= onsemi
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onsemi 80V 단일 N채널 전력 MOSFET
08-25-2026
08-25-2026
전도 손실을 최소화하기 위해 낮은 RDS(on) 값을 제공하고, 드라이버 손실을 최소화하기 위해 낮은 QG 및 정전 용량을 제공합니다.
onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET
12-26-2025
12-26-2025
이 장치는 TCPAK1012(TopCool) 패키지에 낮은 QRR 및 소프트 복구 보디 다이오드를 제공합니다.
onsemi NTTFS007P02P8 P 채널 저전압/중전압 MOSFET
11-25-2025
11-25-2025
극히 낮은 RDS (on) 스위칭 성능과 견고성을 위해 파워트렌치 기술을 사용하여 제작됩니다.
onsemi NVD5867NL 단일 N-채널 전력 MOSFET
11-20-2025
11-20-2025
60 V 드레인-소스 전압, 39mΩ 드레인-소스 온 저항이 특징이며 AEC-Q101 인증을 받았습니다.
onsemi NVMFWS0D4N04XM 단일 N 채널 전력 MOSFET
11-16-2025
11-16-2025
5 mmx6 mm SO8-FL 패키지로 제공되며, 소형 설계와 AEC-Q101 인증을 갖추고 있습니다.
onsemi NVNJWS200N031L 단일 N-채널 전력 MOSFET
10-14-2025
10-14-2025
이 장치는 낮은 RDS(on) 및 낮은 게이트 임계값을 가지며 습식 측면으로 제공됩니다.
onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N-채널 필드 스톱 VII IGBT
10-13-2025
10-13-2025
이 장치는 낮은 온 상태 전압과 낮은 스위칭 손실로 우수한 성능을 제공합니다.
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ROHM Semiconductor RS4P063BPHZG Wide SOA N-채널 전력 MOSFET
10-23-2026
10-23-2026
보조 고장을 억제하는 데 도움이 되는 확장된 안전 작동 영역을 특징으로 합니다.
Diodes Incorporated DMN2005K N-채널 E-모드 전계효과 트랜지스터
10-19-2026
10-19-2026
낮은 온-저항, 매우 낮은 게이트 임계 전압 및 빠른 스위칭 성능이 특징입니다.
Qorvo QPD1000A GaN 입력 매칭 트랜지스터
10-14-2026
10-14-2026
28V 전원 레일에서 30MHz-1,215MHz 주파수 범위로 작동하는 50Ω 입력 매칭 개별 GaN-on-SiC HEMT입니다.
Qorvo QPD2562L GaN RF 전력 트랜지스터
10-06-2026
10-06-2026
2.5GHz~2.9GHz 및 2.9GHz~3.3GHz에서 작동하는 200W~300W 개별형 GaN-on-SiC HEMT입니다.
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET 모듈
10-02-2026
10-02-2026
전기 상용 차량 견인 인버터용 1400V CoolSiC MOSFET 모듈
STMicroelectronics TVS221SC-1T2 단방향 단일 라인 TVS
09-15-2026
09-15-2026
ESD 및 소규모 순간 과도 전압으로부터 전원 라인 또는 기타 저속 I/O를 보호하도록 설계되었습니다.
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
09-14-2026
09-14-2026
Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
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