이산 반도체의 유형
적용된 필터:
제조업체
= Nexperia
현재 필터를 수정하려면 제품 탭으로 돌아가십시오.
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
08-27-2025
08-27-2025
트렌치 MOSFET 기술을 사용한 MLPAK33(SOT8002-3) SMD 플라스틱 패키지의 P채널 FET.
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
08-27-2025
08-27-2025
트렌치 MOSFET 기술을 사용한 MLPAK33(SOT8002-3) SMD 플라스틱 패키지의 P채널 FET.
Nexperia MJPEx 양극성 접합 트랜지스터 (BJT)
08-26-2025
08-26-2025
CFP15B 패키지는 DPAK 패키지의 MJD 시리즈에 대한 컴팩트하고 & 비용 효율적인 대안을 제공합니다.
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
08-19-2025
08-19-2025
트렌치 MOSFET 기술을 사용한 MLPAK33(SOT8002-3) SMD 플라스틱 패키지의 P채널 FET.
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
08-19-2025
08-19-2025
트렌치 MOSFET 기술을 사용하는 MLPAK33 (SOT8002-3) SMD 플라스틱 패키지의 P채널 FET.
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
08-19-2025
08-19-2025
트렌치 MOSFET 기술을 적용한 MLPAK33(SOT8002-3) SMD 플라스틱 패키지에 탑재된 30V P채널 FET.
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN(질화갈륨) FET
07-03-2025
07-03-2025
뛰어난 성능과 매우 낮은 온 상태 저항을 제공하는 상시 오프 e-모드 장치.
Nexperia GANB1R2-040QBA & GANB012-040CBA GaN HEMT
07-03-2025
07-03-2025
40V, 1.2mΩ 또는 12mΩ 양방향 질화 갈륨(GaN) 고전자 이동성 트랜지스터(HEMT).
보기: 1 - 25/75
ROHM Semiconductor RS4P063BPHZG Wide SOA N-채널 전력 MOSFET
10-23-2026
10-23-2026
보조 고장을 억제하는 데 도움이 되는 확장된 안전 작동 영역을 특징으로 합니다.
Diodes Incorporated DMN2005K N-채널 E-모드 전계효과 트랜지스터
10-19-2026
10-19-2026
낮은 온-저항, 매우 낮은 게이트 임계 전압 및 빠른 스위칭 성능이 특징입니다.
Qorvo QPD1000A GaN 입력 매칭 트랜지스터
10-14-2026
10-14-2026
28V 전원 레일에서 30MHz-1,215MHz 주파수 범위로 작동하는 50Ω 입력 매칭 개별 GaN-on-SiC HEMT입니다.
Qorvo QPD2562L GaN RF 전력 트랜지스터
10-06-2026
10-06-2026
2.5GHz~2.9GHz 및 2.9GHz~3.3GHz에서 작동하는 200W~300W 개별형 GaN-on-SiC HEMT입니다.
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET 모듈
10-02-2026
10-02-2026
전기 상용 차량 견인 인버터용 1400V CoolSiC MOSFET 모듈
STMicroelectronics TVS221SC-1T2 단방향 단일 라인 TVS
09-15-2026
09-15-2026
ESD 및 소규모 순간 과도 전압으로부터 전원 라인 또는 기타 저속 I/O를 보호하도록 설계되었습니다.
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
09-14-2026
09-14-2026
Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
보기: 1 - 25/1154
