이산 반도체의 유형
적용된 필터:
제조업체
= ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor 고밀도 SiC 전력 모듈
04-10-2026
04-10-2026
TRCDRIVE pack™, DOT-247 및 HSDIP20 패키지는 고성능 전력 변환(high-performance power conversion)에 기여합니다.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE 패키지™ (성형 모듈 포함)
03-17-2026
03-17-2026
41.6 mm × 52.5 mm 패키지로 제공되는 1 200 V 정격 전압이 특징이며 4 세대 SiC MOSFET을 통합하고 있습니다.
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA P-채널 전력 MOSFET
11-18-2025
11-18-2025
이 MOSFET은 VDSS 정격 -40V와 ID 정격 (VDS = -10V) ±22A를 갖습니다.
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT P-채널 전력 MOSFET
11-18-2025
11-18-2025
이 MOSFET은 VDSS 정격 -100V, ID 정격(VDS = 10V) ±105A를 갖습니다.
ROHM Semiconductor RD3x 오토모티브 N-채널 파워 MOSFET
10-16-2025
10-16-2025
AEC-Q101 인증 MOSFET으로, 낮은 순방향 전압, 빠른 리커버리 타임, 높은 서지 내성을 특징으로 합니다.
ROHM Semiconductor RQxAT P채널 MOSFET
08-21-2025
08-21-2025
낮은 온 상태 저항을 가진 표면 실장 패키징이 특징이며, 100% Rg 및 UIS 테스트 완료.
ROHM Semiconductor RF202LB2S 초고속 복구 다이오드
08-21-2025
08-21-2025
실리콘 에피택셜 평면 구조를 채용한 초고속 복구 다이오드로, 낮은 순방향 전압(VF)과 매우 낮은 스위칭 손실을 실현한 것이 특징입니다.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N-채널 SiC 전력 MOSFET
08-21-2025
08-21-2025
1700V 드레인-소스 전압(VDSS) 및 3.9A 연속 드레인 전류(ID) 정격의 SiC MOSFET.
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N-채널 전력 MOSFET
08-19-2025
08-19-2025
AEC-Q101 인증을 받은 100V VDSS 및 ±40A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor RH7L04 60V N채널 전력 MOSFET
08-19-2025
08-19-2025
AEC-Q101 인증, 60V VDSS 및 ±40A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET.
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P채널 전력 MOSFET
08-19-2025
08-19-2025
AEC-Q101 인증을 획득한 -30V VDSS 및 ±40A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET.
ROHM Semiconductor RH7G04 40V N-채널 전력 MOSFET
08-19-2025
08-19-2025
이러한 장치는 AEC-Q101 인증, 40V VDSS 및 ±40A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor RH7L03 60V N-채널 전력 MOSFET
08-19-2025
08-19-2025
AEC-Q101 인증을 받은 60V VDSS 및 ±35A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P채널 소신호 MOSFET
08-19-2025
08-19-2025
-40V 드레인-소스 전압(VDSS) 및 ±4.0A 연속 드레인 전류(ID) 정격의 MOSFET.
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N채널 전력 MOSFET
08-19-2025
08-19-2025
AEC-Q101 인증을 획득한 40V VDSS 및 ±12A ID 정격의 자동차 등급 MOSFET.
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P-채널 전력 MOSFET
08-19-2025
08-19-2025
-60V VDSS 및 ±36A ID 정격의 AEC-Q101 인증을 받은 자동차 등급 MOSFET입니다.
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1.5A 160V 전력 트랜지스터
08-06-2025
08-06-2025
저주파 증폭기에 적합하고 낮은 VCE(sat)를 가진 전력 트랜지스터.
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V -40A P-채널 전력 MOSFET
08-06-2025
08-06-2025
이 MOSFET은 AEC-Q101 인증을 받은 자동차 등급 전력 MOSFET입니다.
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Littelfuse AK6-FB Axial Leaded TVS Diodes
10-05-2026
10-05-2026
Designed to meet the severe surge-test environment for both AC and DC line-protection applications.
Littelfuse AK8-FB Axial Leaded TVS Diodes
10-05-2026
10-05-2026
Designed to meet the severe surge-test environment for both AC and DC line-protection applications.
Littelfuse LTKAK1.5-L TVS Diode
10-05-2026
10-05-2026
Offers a clamping voltage lower than alternative technologies such as MOVs and GDTs.
STMicroelectronics TVS221SC-1T2 단방향 단일 라인 TVS
09-15-2026
09-15-2026
ESD 및 소규모 순간 과도 전압으로부터 전원 라인 또는 기타 저속 I/O를 보호하도록 설계되었습니다.
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
09-14-2026
09-14-2026
Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
Texas Instruments JFE2325 듀얼 저전력 N-채널 JFET
09-09-2026
09-09-2026
ECM(일렉트릿 콘덴서 마이크로폰)과 같은 초고임피던스 센서에 사용하도록 설계되었습니다.
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
09-02-2026
09-02-2026
산업용 스위치 모드 전원 공급 장치에 권장되는 1200V, 13.5mΩ, 147A SiC MOSFET
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
09-02-2026
09-02-2026
1200V, 55mΩ, 48.3A SiC MOSFET, 산업용 스위칭 모드 전원 장치에 사용하기 적합합니다.
onsemi 80V 단일 N채널 전력 MOSFET
08-25-2026
08-25-2026
전도 손실을 최소화하기 위해 낮은 RDS(on) 값을 제공하고, 드라이버 손실을 최소화하기 위해 낮은 QG 및 정전 용량을 제공합니다.
STMicroelectronics STGI15C60S 3상 인버터 및 IGBT SLLIMM
08-19-2026
08-19-2026
이 장치는 하드 스위칭 회로도에서 최대 20kHz까지 작동하는 모터 드라이브에 이상적입니다.
Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
08-17-2026
08-17-2026
Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.
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