2133 MT/s 메모리 모듈

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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
Innodisk 메모리 모듈 2133MT/s, 1Gx8, 8GB
데이터시트
1재고 상태
최소: 1
배수: 1

UDIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
11재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs 8 GB DDR3 2133 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
28재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 2133 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
20재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 2133 MT/s
Innodisk 메모리 모듈 4GB 2133MT/s 512Mx8
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 4 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
Innodisk 메모리 모듈 2133MT/s 512Mx8, 4GB
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

RDIMMs 4 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 8GB 2133MT/s 1Gx8
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

RDIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 2133MT/s 1Gx8, 16GB
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

RDIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 8GB 2133MT/s, 1Gx8
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
Innodisk 메모리 모듈 2133MT/s 512Mx16, 4GB
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

UDIMMs 4 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 2133MT/s 1Gx8, 16GB
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

UDIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 재고 없음
최소: 1
배수: 1
DIMMs 4 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 4 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC Module VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 8 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC Module VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 8 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 16 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 16 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 16 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 16 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin