2666 MT/s 메모리 모듈

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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
ATP Electronics A4B32QE8BVTDSE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
LRDIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QZ8BNTDME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QZ8BNTDSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C16QZ8BVTDME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QA8BNTDMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QA8BNTDSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QC6BVTDSAV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D16QA8BVTDMFV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D16QB8BNTDSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D32QB8BVTDSAV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNTDME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNTDSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F16Q38BVTDME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNTDMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNTDSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNTDMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNTDSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QC6BVTDSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QA8BVTDMFV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QA8BVTDSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QE8BNTDMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QE8BNTDSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32Q28BVTDSAV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32QE8BVTDMFV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD268ACSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin