Tube SRAM

결과: 294
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 자격 포장
Alliance Memory SRAM SRAM, 1Mb, 128K x 8, 3.3V, 32pin 300 mil SOJ, 15ns, Commercial Temp - Tube 35재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 60 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-32 Tube
Alliance Memory SRAM 1M, 3.3V, 15ns, FAST 128K x 8 Asynch SRAM 100재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 60 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-32 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 44pin SOJ, 12ns, Commercial Temp - Tube 5재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 150 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 44pin SOJ, 12ns, Industrial Temp - Tube 68재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 512K, 32K x 16, 3.3V, 44pin SOJ, 10ns, Commercial Temp - Tube 117재고 상태
최소: 1
배수: 1

512 kbit 32 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 80 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v 7재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 185 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v 14재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 44pin SOJ, Commercial Temp - Tube 56재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Microchip Technology SRAM 16k, 3.0V EERAM IND
5,034예상 2026-10-26
최소: 1
배수: 1

16 kbit 2 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 3.6 V 2.7 V 400 uA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Tube
ISSI SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
Infineon Technologies SRAM 1Mb 45ns 128K x 8 Low Power SRAM
4,500주문 중
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-32 Tube

Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 1.7V SERIAL SRAM IND
84주문 중
최소: 1
배수: 1

256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 5V, 28pin SOJ, 20ns, Industrial Temp - Tube
500주문 중
최소: 1
배수: 1

256 kbit 32 k x 8 20 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Alliance Memory AS7C256C-15PCN
Alliance Memory SRAM SRAM, 256Kb, 32K x 8, 5V, 28pin PDIP, 15ns, Commercial Temp, C Die
296예상 2026-10-12
최소: 1
배수: 1

256 kbit 32 k x 8 15 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 140 mA 0 C + 70 C Through Hole PDIP-28 Tube
Alliance Memory SRAM 1M, 5V, 12ns FAST 128K x 8 Asynch SRAM
102예상 2026-09-07
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 100 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-32 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 5V, 28pin SOJ, 10ns, Commercial Temp - Tube
250예상 2026-09-21
최소: 1
배수: 1

256 kbit 32 k x 8 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 75 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 5V, 28pin SOJ, 15ns, Commercial Temp - Tube
250예상 2026-08-12
최소: 1
배수: 1

256 kbit 32 k x 8 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 65 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 5V, 28pin SOJ, 15ns, Industrial Temp - Tube
363예상 2026-09-21
최소: 1
배수: 1

256 kbit 32 k x 8 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 5V, 28pin SOJ, 20ns, Commercial Temp - Tube
240예상 2026-09-21
최소: 1
배수: 1

256 kbit 32 k x 8 20 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 60 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Alliance Memory SRAM 1M, 3.3V, 12ns, FAST 128K x 8 Asynch SRA
260주문 중
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-32 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 1Mb, 64K x 16, 3.3V, 44pin SOJ(400mil), 12ns, Commercial Temp - Tube
160예상 2026-08-21
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 75 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 비재고 리드 타임 11 주
최소: 1
배수: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI 비재고 리드 타임 11 주
최소: 1
배수: 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI 비재고 리드 타임 11 주
최소: 1
배수: 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube
Microchip Technology SRAM 16k, 3.0V EERAM EXT 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

PDIP-8 Tube