64 Mbit SRAM

결과: 24
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
Infineon Technologies CY62187G30-55BAXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 269재고 상태
₩126,348.9
₩116,540.8
₩112,721.9
₩109,875.3
최소: 1
배수: 1
64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 3,920재고 상태
컷 테이프
₩15,726.7
₩14,627.5
₩14,176.6
₩13,824.3
₩13,176
릴
₩13,176
최소: 1
배수: 1
: 2,500
64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 268재고 상태
₩14,698
₩13,655.1
₩13,246.5
₩12,922.4
₩12,316.4
최소: 1
배수: 1
64 Mbit 8 M x 8 200 MHz Serial 1.95 V 1.7 V - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-24 Tray
Infineon Technologies SRAM 64Mb 3V 55ns 4M x 16 LP SRAM 50재고 상태
840예상 2027-01-28
₩123,812.3
₩114,187.5
₩110,453.1
₩107,662.9
₩104,929
최소: 1
배수: 1
64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 9 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Tray
Alliance Memory SRAM 64M 3V 4048k x 16 LP Asynch SRAM IT 277재고 상태
₩76,181.4
₩70,403.6
₩68,134.8
₩66,429.7
최소: 1
배수: 1
64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Tray
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 1재고 상태
2,880예상 2026-11-02
₩11,865.5
₩11,048.1
₩10,709.9
₩10,456.3
₩10,202.6
최소: 1
배수: 1
64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 202재고 상태
₩12,626.4
₩11,738.6
₩11,386.3
최소: 1
배수: 1
64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 255재고 상태
₩11,837.3
₩11,005.9
₩10,681.7
₩10,428.1
₩10,174.4
최소: 1
배수: 1
64 Mbit 8 M x 8 166 MHz Serial 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-24 Tray
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns 11재고 상태
컷 테이프
₩12,626.4
₩11,386.3
₩11,118.6
₩10,850.8
최소: 1
배수: 1
64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
3,460주문 중
컷 테이프
₩13,965.2
₩12,992.8
₩12,598.2
₩12,288.2
₩11,992.3
릴
₩11,992.3
최소: 1
배수: 1
: 2,500
64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
480예상 2026-11-03
₩15,261.6
₩14,190.6
₩13,753.8
₩13,429.7
₩12,795.5
최소: 1
배수: 1
64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb
410주문 중
₩13,218.3
₩12,302.3
₩11,921.8
₩11,640
최소: 1
배수: 1
64 Mbit 4 M x 16 70 ns 104 MHz 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-54
Alliance Memory SRAM 64M 3V 55ns Low Power 4096k x 16
384예상 2027-05-14
₩84,805.7
₩78,309.2
₩75,772.7
₩73,856.2
₩71,178.7
최소: 1
배수: 1
64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
956예상 2026-11-04
₩12,626.4
₩11,738.6
₩11,386.3
₩11,118.6
₩10,850.8
최소: 1
배수: 1
64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies SRAM 64Mb 3V 55ns 4M x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 26 주
릴
₩104,929
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL 비재고 리드 타임 24 주
₩14,021.5
₩13,035.1
₩12,640.5
₩12,344.6
최소: 1
배수: 1
64 Mbit 4 M x 16 70 ns 104 MHz 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-54
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp 재고 없음
릴
₩11,978.2
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
릴
₩8,948.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
64 Mbit 8 M x 8 200 MHz Serial 1.95 V 1.7 V - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-24 Reel
ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
릴
₩8,906.1
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
64 Mbit 8 M x 8 166 MHz Serial - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-24 Reel
Alliance Memory SRAM 64M 3V 4048k x 16 LP Asynch SRAM IT 비재고 리드 타임 30 주
릴
₩60,257.4
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Alliance Memory SRAM 64M 3V 55ns Low Power 4048k x 16 비재고 리드 타임 30 주
릴
₩57,889.9
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x 16bits, ALL 재고 없음
₩10,780.4
₩10,385.8
최소: 480
배수: 1
64 Mbit 4 M x 16 70 ns 104 MHz 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-54
ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x 16bits, ALL 재고 없음
릴
₩13,739.7
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
64 Mbit 4 M x 16 70 ns 104 MHz 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-54 Reel
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 1.7V 1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 24 주
릴
₩9,624.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel