Tray NVRAM

결과: 81
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스
인터페이스 타입
메모리 크기
조직
데이터 버스 너비
액세스 시간
공급 전압 - 최대
공급 전압 - 최소
작동 공급 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B101LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 35ns 32K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

FBGA-48 256 kbit 32 k x 8 35 ns 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14V256LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 20ns 128K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 675
배수: 675

TSOP-II-44 CY14B101LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,350
배수: 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,350
배수: 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 CY14B104LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,080
배수: 1,080

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104M Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 598
배수: 598

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

FBGA-48 CY14B104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 CY14B104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 216
배수: 216

TSOP-II-54 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 25 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 1024K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108K Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,350
배수: 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108K Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,495
배수: 1,495

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 1024K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,350
배수: 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 598
배수: 598

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Tray
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 1.95V 35ns nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,990
배수: 2,990

FBGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14U256LA Tray
Infineon Technologies CG9023AT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,050
배수: 1,050

Tray
Infineon Technologies CY14B104LA-BA45XI
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

FBGA-48 CY14B104LA Tray
Infineon Technologies CY14B116M-BZ45XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

FBGA-165 CY14B11 Tray
Infineon Technologies CY14B116M-ZSP25XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 540
배수: 540

TSOP-II-54 CY14B11 Tray
Infineon Technologies CY14B116N-BA25XI
Infineon Technologies NVRAM NON VOLATILE SRAMS
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 112
배수: 112

FBGA-60 Tray
Infineon Technologies CY14B116N-ZSP45XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,080
배수: 1,080

TSOP-II-54 CY14B116 Tray
Infineon Technologies CY14B116S-BZ25XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

FBGA-165 CY14B116 Tray
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 210
배수: 210

FBGA-165 Parallel 16 Mbit 512 k x 32 32 bit 35 ns 3.6 V 2.7 V 75 mA - 40 C + 85 C CY14B116 Tray