- 40 C NVRAM

결과: 96
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스
인터페이스 타입
메모리 크기
조직
데이터 버스 너비
액세스 시간
공급 전압 - 최대
공급 전압 - 최소
작동 공급 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
데이터시트
15재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 15

EDIP-32 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 120 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1245Y Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 8M Nonvolatile SRAM
데이터시트
4재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 4

EDIP-36 Parallel 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1265Y Tube
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM
데이터시트
540예상 2027-08-26
최소: 1
배수: 1

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 64k Nonvolatile SRAM
데이터시트
추가 정보 있음

EDIP-28 Parallel 64 kbit 8 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1225AD Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
데이터시트
추가 정보 있음

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1230Y Tube
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B101LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 35ns 32K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

FBGA-48 256 kbit 32 k x 8 35 ns 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14V256LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 3.4Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SOIC-16 I2C 1 Mbit 128 k x 8 3.6 V 2.7 V 400 uA - 40 C + 85 C CY14B101I Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 25ns 64K x 16 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B101NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 64K x 16 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B101NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 40Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SOIC-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 1 mA - 40 C + 85 C CY14B101Q2A Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,350
배수: 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,350
배수: 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104M Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,080
배수: 1,080

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104M Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104M Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 216
배수: 216

TSOP-II-54 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 25 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 1024K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108K Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 1024K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108K Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,350
배수: 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108K Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108K Reel