|
|
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM
- DS1225AD-170+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
36:
₩47,798.4
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1225AD-170+
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
최소: 36
배수: 12
|
|
|
EDIP-28
|
Parallel
|
64 kbit
|
8 k x 8
|
8 bit
|
170 ns
|
5.5 V
|
4.5 V
|
75 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
DS1225AD
|
Tube
|
|
|
|
NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
- DS1230WP-100+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
40:
₩59,482.8
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1230WP-100
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
최소: 40
배수: 40
|
|
|
PowerCap Module-34
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
DS1230W
|
Tray
|
|
|
|
NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
- DS1230WP-150+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
1:
₩85,176
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1230WP-150
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
|
₩85,176
|
|
|
₩78,733.2
|
|
|
₩59,997.6
|
|
|
₩59,982
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
PowerCap Module-34
|
Parallel
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
150 ns
|
3.6 V
|
3 V
|
50 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
DS1230W
|
Tray
|
|
|
|
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
- DS1230Y-200IND+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
1:
₩70,933.2
-
리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1230Y-200IND
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
|
|
리드 타임 14 주
|
|
|
₩70,933.2
|
|
|
₩65,130
|
|
|
₩62,587.2
|
|
|
₩61,417.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩60,091.2
|
|
|
₩58,234.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
EDIP-28
|
Parallel
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
200 ns
|
5.5 V
|
4.5 V
|
85 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
DS1230Y
|
Tube
|
|
|
|
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
- DS1230YP-70+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
1:
₩73,257.6
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1230YP-70
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
|
₩73,257.6
|
|
|
₩67,688.4
|
|
|
₩64,381.2
|
|
|
₩62,743.2
|
|
|
₩61,807.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
PowerCap Module-34
|
Parallel
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
70 ns
|
5.5 V
|
4.5 V
|
85 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
DS1230Y
|
Tray
|
|
|
|
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
- DS1230YP-70IND+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
1:
₩74,895.6
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1230YP-70IND
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
|
₩74,895.6
|
|
|
₩69,201.6
|
|
|
₩65,816.4
|
|
|
₩64,147.2
|
|
|
₩63,195.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
PowerCap Module-34
|
Parallel
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
70 ns
|
5.5 V
|
4.5 V
|
85 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
DS1230Y
|
Tray
|
|
|
|
NVRAM 3.3V 1024k Nonvolatile SRAM
- DS1245W-150+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
1:
₩84,895.2
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1245W-150
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 3.3V 1024k Nonvolatile SRAM
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
|
₩84,895.2
|
|
|
₩78,140.4
|
|
|
₩75,082.8
|
|
|
₩73,678.8
|
|
|
₩71,806.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
EDIP-32
|
Parallel
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
70 ns
|
5.25 V
|
4.75 V
|
85 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
DS1245W
|
Tube
|
|
|
|
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
- DS1245Y-100+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
1:
₩89,575.2
-
99예상 2026-11-10
|
Mouser 부품 번호
700-DS1245Y-100
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
|
|
99예상 2026-11-10
|
|
|
₩89,575.2
|
|
|
₩82,430.4
|
|
|
₩79,201.2
|
|
|
₩77,719.2
|
|
|
₩75,753.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
EDIP-32
|
Parallel
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
70 ns
|
5.5 V
|
4.5 V
|
85 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
DS1245Y
|
Tube
|
|
|
|
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
- DS1245YP-70IND+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
40:
₩88,015.2
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1245YP-70IND
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
최소: 40
배수: 40
|
|
|
PowerCap Module-34
|
Parallel
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
70 ns
|
5.5 V
|
4.5 V
|
85 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
DS1245YP
|
Tray
|
|
|
|
NVRAM 2048k Nonvolatile SRAM
- DS1249Y-100#
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
1:
₩152,209.2
-
리드 타임 15 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1249Y-100#-
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 2048k Nonvolatile SRAM
|
|
리드 타임 15 주
|
|
|
₩152,209.2
|
|
|
₩137,342.4
|
|
|
₩135,314.4
|
|
|
₩131,882.4
|
|
|
₩128,528.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
EDIP-32
|
Parallel
|
2 Mbit
|
256 k x 8
|
8 bit
|
100 ns
|
5.5 V
|
4.5 V
|
85 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
DS1249Y
|
Tube
|
|
|
|
NVRAM 2048k Nonvolatile SRAM
- DS1249Y-85IND#
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
1:
₩153,192
-
리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1249Y-85IND#-
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 2048k Nonvolatile SRAM
|
|
리드 타임 14 주
|
|
|
₩153,192
|
|
|
₩153,176.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
EDIP-32
|
|
2 Mbit
|
|
|
85 ns
|
5.25 V
|
4.75 V
|
85 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
DS1249Y
|
Tube
|
|
|
|
NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
- DS1250AB-70IND+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
1:
₩309,394.8
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1250AB-70IND
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
|
₩309,394.8
|
|
|
₩228,618
|
|
|
₩228,602.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
PDIP-32
|
Parallel
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
70 ns
|
5.25 V
|
4.75 V
|
85 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
DS1250AB
|
Tube
|
|
|
|
NVRAM 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM
- DS1250W-100IND+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
11:
₩218,992.8
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1250W-100IND
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
|
₩218,992.8
|
|
|
₩218,977.2
|
|
최소: 11
배수: 11
|
|
|
EDIP-32
|
Parallel
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
100 ns
|
3.6 V
|
3 V
|
50 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
DS1250W
|
Tube
|
|
|
|
NVRAM 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM
- DS1250WP-100+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
40:
₩236,074.8
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1250WP-100+
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
최소: 40
배수: 40
|
|
|
PowerCap Module-34
|
Parallel
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
100 ns
|
3.6 V
|
3 V
|
50 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
DS1250WP
|
Tray
|
|
|
|
NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
- DS1250Y-100IND+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
11:
₩235,731.6
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1250Y-100IND
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
|
₩235,731.6
|
|
|
₩235,716
|
|
최소: 11
배수: 11
|
|
|
EDIP-32
|
Parallel
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
100 ns
|
5.5 V
|
4.5 V
|
85 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
DS1250Y
|
Tube
|
|
|
|
NVRAM 8M Nonvolatile SRAM
- DS1265AB-70IND+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
9:
₩316,274.4
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1265AB-70IND+
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 8M Nonvolatile SRAM
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
최소: 9
배수: 9
|
|
|
EDIP-36
|
Parallel
|
8 Mbit
|
1 M x 8
|
8 bit
|
70 ns
|
5.25 V
|
4.75 V
|
85 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
DS1265AB
|
Tube
|
|
|
|
NVRAM 8M Nonvolatile SRAM
- DS1265Y-70+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
9:
₩310,143.6
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1265Y-70
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 8M Nonvolatile SRAM
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
최소: 9
배수: 9
|
|
|
EDIP-36
|
Parallel
|
8 Mbit
|
1 M x 8
|
8 bit
|
70 ns
|
5.5 V
|
4.5 V
|
85 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
DS1265Y
|
Tube
|
|
|
|
NVRAM 16M Nonvolatile SRAM
- DS1270Y-70#
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
1:
₩583,611.6
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1270Y-70#-
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 16M Nonvolatile SRAM
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
EDIP-36
|
|
16 Mbit
|
|
8 bit
|
70 ns
|
5.25 V
|
4.75 V
|
85 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
DS1270Y
|
Tube
|
|
|
|
NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM with Battery
- DS1330WP-100IND+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
40:
₩44,241.6
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1330WP-100IND
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM with Battery
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
최소: 40
배수: 40
|
|
|
PowerCap Module-34
|
Parallel
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
100 ns
|
3.6 V
|
3 V
|
50 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
DS1330W
|
Tray
|
|
|
|
NVRAM 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery
- DS1350WP-100+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
400:
₩232,112.4
-
비재고 리드 타임 17 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1350WP-100
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery
|
|
비재고 리드 타임 17 주
|
|
최소: 400
배수: 40
|
|
|
PowerCap Module-34
|
Parallel
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
100 ns
|
3.6 V
|
3 V
|
50 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
DS1350W
|
Tray
|
|
|
|
NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM
- CY14B101LA-BA45XIT
- Infineon Technologies
-
2,000:
₩41,059.2
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-14B101LABA45XIT
|
Infineon Technologies
|
NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
FBGA-48
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CY14B101LA
|
Reel
|
|
|
|
NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM
- CY14B101LA-ZS45XI
- Infineon Technologies
-
1:
₩56,206.8
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-14B101LAZS45XI
|
Infineon Technologies
|
NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩56,206.8
|
|
|
₩52,026
|
|
|
₩50,356.8
|
|
|
₩49,108.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩47,361.6
|
|
|
₩46,160.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
TSOP-II-44
|
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
45 ns
|
3.6 V
|
2.7 V
|
70 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
CY14B101LA
|
Tray
|
|
|
|
NVRAM 256Kb 3V 25ns 32K x 8 nvSRAM
- CY14B256LA-ZS25XIT
- Infineon Technologies
-
1:
₩42,369.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-14B256LAZS25XIT
|
Infineon Technologies
|
NVRAM 256Kb 3V 25ns 32K x 8 nvSRAM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩42,369.6
|
|
|
₩39,265.2
|
|
|
₩38,017.2
|
|
|
₩37,081.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩29,577.6
|
|
|
₩36,160.8
|
|
|
₩34,959.6
|
|
|
₩33,384
|
|
|
₩29,577.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
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TSOP-II-44
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CY14B256LA
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Reel, Cut Tape
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NVRAM 256Kb 35ns 32K x 8 nvSRAM
- CY14V256LA-BA35XI
- Infineon Technologies
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1:
₩44,272.8
-
비재고 리드 타임 26 주
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Mouser 부품 번호
727-14V256LA-BA35XI
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Infineon Technologies
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NVRAM 256Kb 35ns 32K x 8 nvSRAM
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비재고 리드 타임 26 주
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₩44,272.8
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₩41,012.4
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₩39,702
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₩38,734.8
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보기
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₩37,767.6
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₩36,270
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최소: 1
배수: 1
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FBGA-48
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256 kbit
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32 k x 8
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35 ns
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3.6 V
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2.7 V
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- 40 C
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+ 85 C
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CY14V256LA
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Tray
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NVRAM 1Mb 3V 25ns 128K x 8 nvSRAM
- CY14B101LA-BA25XIT
- Infineon Technologies
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2,000:
₩47,205.6
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비재고 리드 타임 26 주
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Mouser 부품 번호
727-C14B101LABA25XIT
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Infineon Technologies
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NVRAM 1Mb 3V 25ns 128K x 8 nvSRAM
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비재고 리드 타임 26 주
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최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
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FBGA-48
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CY14B101LA
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Reel
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대한민국
