MirrorBit NOR 플래시

결과: 1,009
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Infineon Technologies S29GL512S11TFV023
Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

S29GL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 32 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S25FL128SAGBHB200
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 19 주
최소: 3,380
배수: 3,380

SMD/SMT BGA-24 S25FL128S 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 16 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S25FL128SDSMFBG13
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

S25FL128S Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S25FL256SDSMFBG10
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Asynchronous, Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S25FL256SDSMFBG13
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

S25FL256S Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S25FL512SDSBHBC10
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 3,380
배수: 3,380

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S25FL512SDSBHBC13
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S25FL512SDSBHMC10
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 19 주
최소: 676
배수: 676

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S25FL512SDSBHMC13
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S25FS128SAGBHM200
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 128 Mb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 19 주
최소: 338
배수: 338

S25FS128S 128 Mbit 1.7 V 2 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S25FS128SAGBHM203
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 128M FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

S25FS128S 128 Mbit 1.7 V 2 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S25FS128SAGMFB103
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,100
배수: 2,100
: 2,100

S25FS128S 128 Mbit 1.7 V 2 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S25FS128SAGNFV103
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

S25FS128S 128 Mbit 1.7 V 2 V 90 mA Synchronous Reel
Infineon Technologies S25FS128SDSBHB200
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 128 Mb FLASHMEM 비재고 리드 타임 19 주
최소: 676
배수: 676

SMD/SMT BGA-24 S25FS128S 128 Mbit 1.7 V 2 V 90 mA SPI 80 MHz 16 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S25FS128SDSBHB203
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 128 Mb FLASHMEM 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FS128S 128 Mbit 1.7 V 2 V 90 mA SPI 80 MHz 16 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S25FS256SAGBHM203
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 256M FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

S25FS256S 256 Mbit 1.7 V 2 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S25FS256SAGMFM000
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 256M FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,200
배수: 1,200

S25FS256S 256 Mbit 1.7 V 2 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S25FS256SAGMFM001
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 256M FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 19 주
최소: 705
배수: 705

S25FS256S 256 Mbit 1.7 V 2 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tube
Infineon Technologies S25FS256SAGMFM003
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 256M FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

S25FS256S 256 Mbit 1.7 V 2 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10DHA013
Infineon Technologies NOR 플래시 NOR 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,200
배수: 2,200
: 2,200

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10TFA023
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 1 Gb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10TFA010
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 1 Gb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 19 주
최소: 910
배수: 910

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL01GS10TFA020
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 1 Gb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 19 주
최소: 910
배수: 910

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL01GS11DHAV20
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 1 Gb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,600
배수: 2,600

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL01GS11DHAV23
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 1G FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,200
배수: 2,200
: 2,200

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous AEC-Q100 Reel