8 bit MRAM(자기 메모리)

결과: 246
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스 인터페이스 타입 메모리 크기 조직 데이터 버스 너비 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 작동 공급 전류 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩46,035.6
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩71,884.8
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩46,581.6
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩94,083.6
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩91,166.4
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩83,850
최소: 480
배수: 240
BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩82,336.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩116,750.4
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩63,850.8
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩15,085.2
최소: 1,140
배수: 570
DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H10 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩16,567.2
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H10 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩24,788.4
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩14,476.8
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩14,929.2
최소: 1,140
배수: 570
DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩28,298.4
최소: 1,140
배수: 570
DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩27,471.6
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI 비재고 리드 타임 26 주
₩29,187.6
최소: 1,140
배수: 570
DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI 비재고 리드 타임 26 주
₩28,189.2
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3V 512Kx8 Serial MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩39,530.4
최소: 1,140
배수: 570
DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3V 512Kx8 Serial MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩37,299.6
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Reel
Avalanche Technology AS302G208-0108X0MCHY
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) 2G 3V Space-Grade High Performance Dual-Quad Serial Persistent SRAM Memory 비재고 리드 타임 18 주
FBGA-96 Dual/Quad SPI 2 Gbit 256 M x 8 8 bit 9 ns 2.5 V 3.6 V 90 mA - 40 C + 125 C AS302G208 Tray