16 bit MRAM(자기 메모리)

결과: 168
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수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스
인터페이스 타입
메모리 크기
조직
데이터 버스 너비
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
작동 공급 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 216
배수: 108

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR3A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 216
배수: 108

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR3A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 3.3V 32Mb MRAM(자기 메모리) with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 480
배수: 240

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 480
배수: 240

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 216
배수: 108

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 216
배수: 108

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Reel