Reel DRAM

결과: 1,169
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Infineon Technologies S27KS0642GABHI033
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S27KS0642GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S27KS0643GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S27KS0643GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KL1282DPBHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KL1282DPBHB033
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KL1282DPBHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KL1282GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KL1282GABHB033
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KL1282GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KL1283DPBHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KL1283DPBHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KL1283GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KL1283GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KS1282GABHB033
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KS1282GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KS1282GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KS1283GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KS1283GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 비재고 리드 타임 15 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-15 16 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.3 V 3 V 0 C + 70 C IS42RM32160E Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.7 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42SM32160E Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel