0 C DRAM

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수량 RoHS ECAD 모델 타입
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최대 클록 주파수
패키지/케이스
조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16320D Tray
ISSI DRAM 512M 32Mx16 333MHz DDR2 1.8V
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16320E Tray
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR81280B Tray
ISSI DRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 256 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR82560C
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 300
배수: 300

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16160G Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16160G Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 300
배수: 300

SDRAM Mobile - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16160H
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM Mobile - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16160H Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 300
배수: 300

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16320C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16320C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32160C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32160C Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32800G Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile - LPDDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32800G Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM Mobile - DDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16160H
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile - DDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16160H Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160F Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 16Mx32, 200MHz, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS
데이터시트
재고 없음
최소: 189
배수: 189

SDRAM - DDR 512 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 16 M x 32 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32160D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 16Mx32, 200MHz, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 16 M x 32 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32160D Reel
ISSI DRAM 128M (4Mx32) 250MHz 2.5v DDR SDRAM
데이터시트
재고 없음
최소: 189
배수: 189

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 250 MHz BGA-144 4 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32400E Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400F