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선택	이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	RoHS	ECAD 모델	타입	메모리 크기	데이터 버스 너비	최대 클록 주파수	패키지/케이스	조직	액세스 시간	공급 전압 - 최소	공급 전압 - 최대	최저 작동온도	최고 작동온도	시리즈	포장
	DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R IS46LD32128C-18BPLA2-TR ISSI 1,500: ₩61,089.6 비재고 리드 타임 52 주 신제품	제조업체 부품 번호 IS46LD32128C-18BPLA2-TR Mouser 부품 번호 870-D32128C18BPLA2TR 신제품	ISSI	DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R ISSI is46ld cmos drams 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 52 주	릴 ₩61,089.6	최소: 1,500 배수: 1,500 : 1,500			SDRAM - LPDDR2	4 Gb	4 bit	533 MHz	BGA-168	128 M x 32	10 ns	1.7 V	1.95 V	- 40 C	+ 105 C		Reel
	DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R IS46LD16128C-18BLA1-TR ISSI 2,000: ₩33,384 비재고 리드 타임 52 주 신제품	제조업체 부품 번호 IS46LD16128C-18BLA1-TR Mouser 부품 번호 870-LD16128C18BLA1TR 신제품	ISSI	DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R ISSI is46ld cmos drams 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 52 주	릴 ₩33,384	최소: 2,000 배수: 2,000 : 2,000			SDRAM - LPDDR2	2 Gb	4 bit	533 MHz	BGA-134	128 M x 32	10 ns	1.7 V	1.95 V	- 40 C	+ 85 C		Reel
	DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R IS43LD32128B-18BLI-TR ISSI 2,000: ₩56,612.4 비재고 리드 타임 52 주	제조업체 부품 번호 IS43LD32128B-18BLI-TR Mouser 부품 번호 870-LD32128B18BLIT	ISSI	DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R	데이터시트	비재고 리드 타임 52 주	릴 ₩56,612.4	최소: 2,000 배수: 2,000 : 2,000			SDRAM - LPDDR2	4 Gbit	32 bit	533 MHz	BGA-134	128 M x 32		1.14 V	1.95 V	- 40 C	+ 85 C		Reel
	DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R IS43LD32128B-18BPLI-TR ISSI 1,500: ₩65,972.4 비재고 리드 타임 52 주	제조업체 부품 번호 IS43LD32128B-18BPLI-TR Mouser 부품 번호 870-LD32128B18BPLIT	ISSI	DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R	데이터시트	비재고 리드 타임 52 주	릴 ₩65,972.4	최소: 1,500 배수: 1,500 : 1,500			SDRAM - LPDDR2	4 Gbit	32 bit	533 MHz	BGA-168	128 M x 32		1.14 V	1.95 V	- 40 C	+ 85 C		Reel
	DRAM LPDDR2, 4G,128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 533 MHZ, Industrial TEMP - Tape & Reel AS4C128M32MD2A-18BINTR Alliance Memory 2,000: ₩28,766.4 비재고 리드 타임 20 주	제조업체 부품 번호 AS4C128M32MD2A-18BINTR Mouser 부품 번호 913-4C12832MD2A18BIT	Alliance Memory	DRAM LPDDR2, 4G,128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 533 MHZ, Industrial TEMP - Tape & Reel Alliance Memory alliance low power ddr2 sdram 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 20 주	릴 ₩28,766.4	최소: 2,000 배수: 2,000 : 2,000			SDRAM Mobile - LPDDR2	4 Gbit	32 bit	533 MHz	FBGA-134	128 M x 32	18 ns	1.14 V	1.95 V	- 40 C	+ 85 C	AS4C128M32MD2A-18	Reel
	DRAM LPDDR2 512Mb 533MHz 64Mx32 IT IS43LD32160A-18BLI ISSI 1: ₩22,120.8 재고 없음 NRND	제조업체 부품 번호 IS43LD32160A-18BLI Mouser 부품 번호 870-43LD32160A18BLI NRND	ISSI	DRAM LPDDR2 512Mb 533MHz 64Mx32 IT ISSI mobile lpddr2 sdram 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	재고 없음	₩22,120.8 ₩20,514 ₩19,874.4 ₩18,938.4 보기 ₩18,454.8 ₩18,174 ₩17,721.6 ₩17,706	최소: 1 배수: 1			SDRAM Mobile - LPDDR2	512 Mbit	16 bit	533 MHz	FBGA-134	16 M x 32	18 ns	1.14 V	1.95 V	- 40 C	+ 85 C	IS43LD32160A
	DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 256Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R ISSI IS43LD16256C-18BLI-TR IS43LD16256C-18BLI-TR ISSI 2,000: ₩52,072.8 비재고 리드 타임 52 주	제조업체 부품 번호 IS43LD16256C-18BLI-TR Mouser 부품 번호 870-3LD16256C18BLITR	ISSI	DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 256Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R	데이터시트	비재고 리드 타임 52 주	릴 ₩52,072.8	최소: 2,000 배수: 2,000 : 2,000			SDRAM	4 Gbit	16 bit	533 MHz	TFBGA-134	256 M x 16	5.5 ns	1.14 V, 1.7 V	1.3 V, 1.95 V	- 40 C	+ 85 C		Reel
	DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 256Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT ISSI IS43LD16256C-18BLI IS43LD16256C-18BLI ISSI 1: ₩65,754 비재고 리드 타임 52 주	제조업체 부품 번호 IS43LD16256C-18BLI Mouser 부품 번호 870-IS43LD16256C18BL	ISSI	DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 256Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT	데이터시트	비재고 리드 타임 52 주	₩65,754 ₩60,762 ₩58,796.4 ₩57,330 ₩51,714	최소: 1 배수: 1			SDRAM	4 Gbit	16 bit	533 MHz	TFBGA-134	256 M x 16	5.5 ns	1.14 V, 1.7 V	1.3 V, 1.95 V	- 40 C	+ 85 C