200 MHz DRAM

결과: 132
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공급 전압 - 최대
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최고 작동온도
시리즈
포장
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
235재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
639재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
372재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 512 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed
데이터시트
1,586재고 상태
9,600주문 중
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp (A)
데이터시트
2,902재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C16M16D1A Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
676재고 상태
338예상 2027-01-18
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S70KS1282GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
416재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
736재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 450재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 1.65 V 1.95 V
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
304재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
20재고 상태
676주문 중
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
81재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
24재고 상태
1,300주문 중
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp(A), T&R
데이터시트
534재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C16M16D1A Reel, Cut Tape, MouseReel
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp A
데이터시트
355재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C32M16D1A Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp (A)
데이터시트
222재고 상태
540예상 2026-09-08
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C32M16D1A Tray
Infineon Technologies S80KS2563GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
131재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, BGA, 200 MHz, Industrial Temp - Tray
데이터시트
200재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TFBGA-60 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C16M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp(A)
데이터시트
120재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C16M16D1A Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 60-ball BGA, 200 MHz, Industriall Temp - Tray
데이터시트
5재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TFBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C32M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 128Mb, 8M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp A Die
데이터시트
68재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 8 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C8M16D1A Tray
Winbond DRAM 128Mb DDR SDRAM x16 200MHz, 46nm
데이터시트
123재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 8 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C W9412G6KH Tray
Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x16, 200MHz, Ind temp, 1.8V 9재고 상태
111예상 2026-09-21
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz WFBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray

Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R
데이터시트
180재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz 32 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
Winbond DRAM 128Mb SDR SDRAM x16, 200MHz, Ind temp
데이터시트
22재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C W9812G6KH Tray