200 MHz DRAM

결과: 125
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시리즈
포장

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
데이터시트
4,842재고 상태
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
데이터시트
910재고 상태
4,800예상 2027-01-06
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
데이터시트
779재고 상태
480예상 2027-01-18
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
1,522재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S70KS1282GABHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
621재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
데이터시트
548재고 상태
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
데이터시트
842재고 상태
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
Winbond DRAM 512Mb LPDDR, x16, 200MHz, Industrial Temp, 46nm
데이터시트
308재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz VFBGA-60 32 M x 16 6.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C W949D6DB Tray
ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 369재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 2.7 V 3.6 V
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, BGA, 200 MHz, Industrial Temp - Tray
데이터시트
200재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TFBGA-60 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C16M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 128Mb, 8M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industriall Temp A Die
데이터시트
108재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 8 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C8M16D1A Tray
Winbond DRAM 512Mb LPDDR, x32, 200MHz
데이터시트
73재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 200 MHz VFBGA-90 16 M x 32 6.5 ns 1.7 V 1.95 V - 25 C + 85 C W949D2DB Tray
ISSI DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
데이터시트
34재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400F
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
데이터시트
136재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160F
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 60-ball BGA, 200 MHz, Automotive Temp - Tray
데이터시트
101재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 105 C AS4C32M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 64MB, 2M X 32, 2.5V 144 BGA 200MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray
데이터시트
159재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 64 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-144 2 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 64Mb, 4M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp(A)
데이터시트
189재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 64 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 4 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C4M16D1A Tray
AP Memory DRAM 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed
데이터시트
8,912재고 상태
9,600예상 2026-12-21
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed
데이터시트
3,233재고 상태
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed
데이터시트
2,746재고 상태
2,880예상 2027-01-21
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies S70KL1282GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
3,376재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
885재고 상태
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
44재고 상태
3,380주문 중
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
235재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
351재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray