133 MHz DRAM

결과: 77
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수량 RoHS ECAD 모델 타입
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데이터 버스 너비
최대 클록 주파수
패키지/케이스
조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16160K Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 133 MHz FBGA-54 32 M x 16 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16320E Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32160E Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32800K Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16160K Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 32 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16320E Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32160E Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32800K Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 348
배수: 348

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 2.3 V 3 V - 40 C + 85 C IS42RM16160K Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.3 V 3 V - 40 C + 85 C IS42RM32160E Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32800K Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
재고 없음
최소: 240
배수: 240

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16320D Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 8Mx32 Mobile SDR
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32800K Tray
Alliance Memory DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
데이터시트
재고 없음
최소: 490
배수: 490

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 16 bit 133 MHz FBGA-49 4 M x 16 70 ns 1.7 V 1.95 V - 30 C + 85 C AS1C4M16PL-70 Tray
Alliance Memory DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
데이터시트
재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 16 bit 133 MHz FBGA-49 4 M x 16 70 ns 1.7 V 1.95 V - 30 C + 85 C AS1C4M16PL-70 Reel
Alliance Memory DRAM 128M 8Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 16 bit 133 MHz FBGA-49 8 M x 16 70 ns 1.7 V 1.95 V - 30 C + 85 C AS1C8M16PL-70 Tray
Alliance Memory DRAM 128M 8Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
데이터시트
재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 16 bit 133 MHz FBGA-49 8 M x 16 70 ns 1.7 V 1.95 V - 30 C + 85 C AS1C8M16PL-70 Reel