32 bit DRAM

결과: 311
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ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩14,106.1
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩12,457.3
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩16,050.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32160E Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩14,387.9
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32800K Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩13,810.2
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 5.4 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32160E Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩16,050.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32160E Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩12,161.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32800K Reel
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩54,423.3
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩109,072.1
최소: 136
배수: 136
SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩109,184.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩14,698
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A Reel
ISSI DRAM LPDDR2,512M,RoHs 400MHz,16Mx32,IT 비재고 리드 타임 52 주
컷 테이프
₩20,616.6
₩19,122.8
₩18,516.9
₩17,643.2
₩17,206.3
최소: 1
배수: 1
SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 16 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A Reel
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 8Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩10,470.4
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 8 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩8,384.7
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩9,624.8
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩10,385.8
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩8,384.7
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩10,554.9
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩9,624.8
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩10,385.8
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩10,160.3
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩10,963.6
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩10,709.9
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩11,555.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩12,457.3
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel