|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128A-062TBLA1-TR
- ISSI
-
2,500:
₩54,620.6
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128A062TBLA1T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM - LPDDR4
|
4 Gbit
|
32 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 32
|
|
1.06 V
|
1.17 V
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
|
Reel
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128A-062TBLA2-TR
- ISSI
-
2,500:
₩79,972.1
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128A062TBLA2T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM - LPDDR4
|
4 Gbit
|
32 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 32
|
|
1.06 V
|
1.17 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Reel
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
- IS46LQ32128AL-062TBLA1
- ISSI
-
136:
₩55,888.9
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLA1
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
4 Gbit
|
32 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 32
|
|
570 mV
|
650 mV
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR
- ISSI
-
2,500:
₩54,620.6
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLA1T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
4 Gbit
|
32 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 32
|
|
570 mV
|
650 mV
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
|
Reel
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
- IS46LQ32128AL-062TBLA2
- ISSI
-
136:
₩81,733.6
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLA2
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
4 Gbit
|
32 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 32
|
|
570 mV
|
650 mV
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS43LQ32128AL-062TBLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩67,458.4
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLIT
|
ISSI
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
4 Gbit
|
32 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 32
|
|
570 mV
|
650 mV
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
- IS42RM32160E-75BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩16,050.8
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-42RM32160E75BLIR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM Mobile
|
512 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
2.3 V
|
3 V
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
IS42RM32160E
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
- IS42RM32800K-75BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩14,387.9
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-42RM32800K75BLIT
|
ISSI
|
DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM Mobile
|
256 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
BGA-90
|
8 M x 32
|
6 ns
|
2.3 V
|
3 V
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
IS42RM32800K
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
- IS42S32160F-6BLI-TR
- ISSI
-
1:
₩32,045.2
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F6BLITR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
SDRAM
|
512 Mbit
|
32 bit
|
167 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
IS42S32160F
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
- IS42S32160F-6BL-TR
- ISSI
-
2,500:
₩20,334.8
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F6BLTR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM
|
512 Mbit
|
32 bit
|
167 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42S32160F
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
- IS42S32160F-75EBL
- ISSI
-
240:
₩20,123.4
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F75EBL
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 240
배수: 240
|
|
|
SDRAM
|
512 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42S32160F
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
- IS42S32160F-75EBLI
- ISSI
-
240:
₩22,082.2
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F75EBLI
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 240
배수: 240
|
|
|
SDRAM
|
512 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
IS42S32160F
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
- IS42S32160F-75EBLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩22,392.2
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F75EBLIT
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM
|
512 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
IS42S32160F
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS T&R
- IS42S32160F-75EBL-TR
- ISSI
-
2,500:
₩20,334.8
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F75EBLTR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM
|
512 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42S32160F
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS
- IS42S32160F-75ETL
- ISSI
-
1:
₩29,508.6
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F75ETL
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SDRAM
|
512 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
TSOP-II-86
|
16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42S32160F
|
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R
- IS42S32160F-75ETLI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩22,970
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F75ETLIT
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
SDRAM
|
512 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
TSOP-II-86
|
16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
IS42S32160F
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS T&R
- IS42S32160F-75ETL-TR
- ISSI
-
1,500:
₩20,137.5
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F75ETLTR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
SDRAM
|
512 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
TSOP-II-86
|
16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42S32160F
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
- IS42S32160F-7BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩21,546.7
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F7BLITR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM
|
512 Mbit
|
32 bit
|
167 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
IS42S32160F
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
- IS42S32160F-7BL-TR
- ISSI
-
2,500:
₩19,559.7
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F7BLTR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM
|
512 Mbit
|
32 bit
|
167 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42S32160F
|
Reel
|
|
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DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm)
- IS42S32800J-6BL
- ISSI
-
1:
₩18,855.1
-
비재고 리드 타임 52 주
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Mouser 부품 번호
870-42S32800J6BL
|
ISSI
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DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm)
|
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비재고 리드 타임 52 주
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최소: 1
배수: 1
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SDRAM
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256 Mbit
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32 bit
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166 MHz
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BGA-90
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8 M x 32
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6.5 ns
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3 V
|
3.6 V
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0 C
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+ 70 C
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IS42S32800J
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DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
- IS42S32800J-75EBLI
- ISSI
-
240:
₩13,866.5
-
비재고 리드 타임 52 주
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Mouser 부품 번호
870-42S32800J75EBLI
|
ISSI
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DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
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비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 240
배수: 240
|
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SDRAM
|
256 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
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BGA-90
|
8 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
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+ 85 C
|
IS42S32800J
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Reel
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DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
- IS42S32800J-75EBLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩13,556.5
-
비재고 리드 타임 52 주
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Mouser 부품 번호
870-42S32800J75EBLIT
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ISSI
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DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
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비재고 리드 타임 52 주
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최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
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SDRAM
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256 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
BGA-90
|
8 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
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+ 85 C
|
IS42S32800J
|
Reel
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DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
- IS42S32800J-75EBL-TR
- ISSI
-
2,500:
₩12,457.3
-
비재고 리드 타임 52 주
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Mouser 부품 번호
870-42S32800J75EBLTR
|
ISSI
|
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
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비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
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|
SDRAM
|
256 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
BGA-90
|
8 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42S32800J
|
Reel
|
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DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS
- IS42S32800J-75ETL
- ISSI
-
1:
₩17,530.4
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32800J75ETL
|
ISSI
|
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 1
배수: 1
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SDRAM
|
256 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
TSOP-II-86
|
8 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42S32800J
|
|
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DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
- IS42S32800J-75ETL-TR
- ISSI
-
1,500:
₩12,443.2
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32800J75ETLTR
|
ISSI
|
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
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|
SDRAM
|
256 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
TSOP-II-86
|
8 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42S32800J
|
Reel
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