16 bit DRAM

결과: 776
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ISSI DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2 비재고 리드 타임 52 주
₩17,971.2
₩16,692
₩16,177.2
₩15,802.8
₩15,100.8
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16320D Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩11,793.6
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16320D Reel
ISSI DRAM 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM 비재고 리드 타임 52 주
₩34,569.6
₩32,026.8
₩31,028.4
₩30,264
₩29,125.2
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR16640B Tray
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
₩16,957.2
₩15,756
₩15,272.4
₩14,913.6
최소: 1
배수: 1
SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 16 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩15,537.6
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SDRAM Mobile - LPDDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16160G Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
컷 테이프
₩25,303.2
₩23,462.4
₩22,713.6
₩21,652.8
릴
₩16,754.4
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩17,565.6
최소: 300
배수: 300
SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS46LR16320C Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩18,922.8
최소: 300
배수: 300
SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C IS46LR16320C Tray
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩12,074.4
₩11,247.6
₩10,904.4
₩10,405.2
₩10,155.6
최소: 1
배수: 1
SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩6,614.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩7,035.6
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩6,614.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2 비재고 리드 타임 52 주
₩17,971.2
₩16,692
₩16,177.2
₩15,787.2
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16320D Tray
ISSI DRAM 512M 32Mx16 333MHz DDR2 1.8V 비재고 리드 타임 52 주
₩13,119.6
₩12,199.2
₩11,840.4
₩11,559.6
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16320E Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩14,476.8
최소: 300
배수: 300
SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16160G Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩13,244.4
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SDRAM Mobile - LPDDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16160G Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩14,913.6
최소: 300
배수: 300
SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16320C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩14,398.8
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16320C Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩12,121.2
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 16 M x 16 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160F Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143Mhz, 60 ball BGA (6.4mmx10.1mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩6,427.2
최소: 286
배수: 286
SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-60 1 M x 16 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143Mhz, 60 ball BGA (6.4mmx10.1mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩6,786
최소: 286
배수: 286
SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-60 1 M x 16 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS42S16100H
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩9,250.8
최소: 348
배수: 348
SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩12,651.6
₩11,778
₩11,419.2
₩10,904.4
최소: 1
배수: 1
SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩11,700
₩10,888.8
₩10,561.2
₩10,077.6
₩9,828
최소: 1
배수: 1
SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩12,651.6
₩11,778
₩11,419.2
₩10,904.4
최소: 1
배수: 1
SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C