16 bit DRAM

결과: 776
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ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩36,800.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩28,548
최소: 190
배수: 190
SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16128C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩78,109.2
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - LPDDR4 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩60,980.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - LPDDR4 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩65,816.4
최소: 136
배수: 136
SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩77,968.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩70,917.6
최소: 136
배수: 136
SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩83,912.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩54,085.2
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩60,621.6
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C IS43QR16256B Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩66,690
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C IS43QR16256B Reel
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩73,382.4
₩67,875.6
₩65,707.2
₩64,069.2
₩61,760.4
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 512 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩14,648.4
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16640C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩14,726.4
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16640C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
컷 테이프
₩24,726
₩22,916.4
₩22,198.8
₩21,153.6
릴
₩15,943.2
최소: 1
배수: 1
: 1,500
SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16640C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 리드 타임 52 주
₩23,119.2
₩22,120.8
₩21,715.2
₩21,122.4
₩16,785.6
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16640CL
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩14,508
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16640CL Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩13,587.6
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16640CL Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩14,508
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16640CL Reel
ISSI DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC 비재고 리드 타임 52 주
₩21,106.8
최소: 190
배수: 190
SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS46TR16640ED
ISSI DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC 비재고 리드 타임 52 주
₩32,541.6
₩30,154.8
₩29,203.2
₩28,485.6
₩27,424.8
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16640ED
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩25,927.2
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩27,534
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16128C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩17,908.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS43DR16320C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩15,568.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16320C Reel