Parallel I/O (x16) MRAM(자기 메모리)

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수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스
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조직
데이터 버스 너비
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
작동 공급 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
1,057재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
1,038재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
272재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
1,092재고 상태
1,485예상 2027-02-15
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
963재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
1,454재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
1,953재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
210재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
431재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
75재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
189재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
5재고 상태
216예상 2026-10-14
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
415예상 2027-02-05
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 3.3V 32Mb MRAM(자기 메모리) with unlimited read & write endurance, currently MSL 3
데이터시트
1,667주문 중
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM(자기 메모리)
데이터시트
258예상 2026-09-16
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 696
배수: 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 270
배수: 135

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 696
배수: 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel